Зубович Анатолий Николаевич
Способ герметизации корпуса интегральной схемы
Номер патента: 18641
Опубликовано: 30.10.2014
Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203
Метки: корпуса, интегральной, схемы, герметизации, способ
Текст:
...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...
Способ изготовления мощного полупроводникового прибора
Номер патента: 14985
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Зубович Анатолий Николаевич, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 23/12
Метки: прибора, мощного, изготовления, полупроводникового, способ
Текст:
...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 8885
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич
МПК: H01L 21/58, H01L 21/60
Метки: кремниевого, полупроводникового, прибора, кристалла, кристаллодержателю, присоединения, способ
Текст:
...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...