Патенты с меткой «p-gan»
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN
Номер патента: 15439
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич
МПК: H01L 33/00, B82B 3/00, H01L 21/02...
Метки: способ, галлия, слою, p-gan, эпитаксиальному, контакта, омического, нитрида, прозрачного, изготовления
Текст:
..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 13804
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02
Метки: способ, прозрачного, p-gan, контакта, изготовления, омического, слою, эпитаксиальному
Текст:
...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович, Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: омического, эпитаксиальному, изготовления, слою, контакта, прозрачного, p-gan, способ
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд
МПК: H01L 33/00, H01L 21/28, H01L 21/283...
Метки: омического, эпитаксиальному, изготовления, слою, p-gan, прозрачного, контакта, способ
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...