H01L 31/18 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: преобразователя, способ, солнечной, энергии, изготовления, полупроводникового

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18, C23C 14/24...

Метки: пленок, получения, тонких, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: растворов, полупроводниковых, твердых, способ, получения

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: полупроводниковый, тонкопленочный, фотодетектор

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович, Унучек Денис Николаевич

МПК: C23C 28/00, C30B 29/46, H01L 31/18...

Метки: получения, основе, способ, тонкопленочной, солнечных, структуры, элементов

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: олова, тонких, пленок, способ, получения, сульфоселенида

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Романюк Виктор Леонидович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленки, ba1xsrxtio3, получения, тонкой

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич

МПК: H01L 31/18

Метки: пленки, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, тонкой, соединения, получения, способ

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: пленки, формирования, способ, соединения, cu2znsn(se,s)4

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна, Тиванов Михаил Сергеевич

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, получения, пленки, cu(in,ga)(s,se)2, способ

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: пленок, zn2-2xcuxinxiv2, получения, твердых, способ, растворов

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: или, cuinse2, тонких, получения, халькопиритных, cugase2, способ, пленок

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Номер патента: 3059

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Юрченок Лариса Григорьевна, Закроева Нина Михайловна, Агафонов Владимир Михайлович

МПК: H01L 31/18

Метки: изготовления, способ, мпм-фотодиода

Текст:

...формируются электроды напылениеми последующим удалением фоторезистивной маски, после чего делается процесс фотолитографии и проводится последовательно плазмохимическое травление диэлектрика и сильнолегированного эпитаксиального слоядо полуизолирующей подложки , далее формируются металлические выводы к электродам на основе барьеров Шоттки с помощью напыленияи последующей фотолитографии и в завершение проводится пассивация поверхности...