Патенты с меткой «пластины»

Номер патента: U 10048

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/02

Метки: устройство, контроля, клиновидной, интерферометрического, измерительного, пластины

Текст:

...создание устройства, обеспечивающего достижение технического результата, заключающегося в повышении быстродействия устройства при осуществлении измерительного контроля. Сущность полезной модели заключается в том, что известное устройство для интерферометрического измерительного контроля клиновидной пластины, включающее когерентный источник света с оптической системой формирования коллимированного зондирующего светового пучка, интерферометр с...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: кремния, поверхности, монокристаллического, качества, контроля, способ, пластины

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Номер патента: U 9350

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/00, G01B 11/26

Метки: прозрачной, пластины, измерения, устройство, интерферометрическое, клиновидности

Текст:

...признаков в плоскости экрана в каждой из областей первой и второй интерферограмм устанавливают первый и второй фотоприемники, которые соединяют с электронным блоком регистрации и индикации. На фигуре приведена оптическая схема интерферометрического устройства для измерения клиновидности прозрачных пластин. Интерферометрическое устройство для измерения клиновидности прозрачных пластин содержит осветительную систему, включающую когерентный...

Номер патента: 17444

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Иванов Дмитрий Константинович, Стрельцов Евгений Анатольевич, Иванова Юлия Александровна, Кулак Анатолий Иосифович

МПК: C25D 3/38, C25D 7/12, H01L 21/18...

Метки: поверхность, кремниевой, фотоселективного, p-типа, электрохимического, осаждения, меди, способ, пластины, проводимости

Текст:

...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...

Номер патента: U 9258

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ляликов Александр Михайлович, Бартасевич Анна Ивановна

МПК: G01B 9/02

Метки: клиновидной, интерферометрических, пластины, исследований, устройство

Текст:

...известном устройстве для интерферометрических исследований клиновидной пластины, включающем когерентный источник света с оптической системой формирования коллимированного зондирующего пучка, интерферометр с каналами объектного и опорного пучков, исследуемую клиновидную пластину, установленную в канале объектного пучка, регистратор интерференционной картины, согласно полезной модели, в контакте с поверхностью исследуемой клиновидной пластины...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластины, изготовления, способ, полупроводниковой, кремния

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: 15822

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ляликов Александр Михайлович, Буть Андрей Иванович

МПК: G01J 9/02, G01B 11/26

Метки: определения, клиновидности, угла, прозрачной, пластины, интерферометрический, способ

Текст:

...для реализации заявляемого способа, а на последующих фигурах схематически изображены контуры световых волн (окружность) и исследуемой пластины (ромб) после освещения исследуемой пластины световой волной (фиг. 2) и при формировании первого и второго изображений исследуемой пластины за счет бокового сдвига интерферирующих разделенных волн. Устройство для реализации заявляемого способа содержит когерентный источник света 1, например...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функциональное, покрытие, ориентации, пластины, кремниевой, полупроводниковой, 111

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: покрытие, пластины, полупроводниковой, ориентации, функциональное, 111, кремниевой

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: полупроводниковой, кремниевой, пластины, способ, ориентации, 111, изготовления

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, пластины, полупроводниковой, изготовления, кремниевой, способ, 001

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, примесей, полупроводниковых, приборов, акцепторных, диффузии, изготовления, пластины, кремниевые, способ

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: поверхности, полупроводниковой, качества, пластины, структуры, изделия, частности, способ, контроля

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, G01B 9/00...

Метки: изделия, частности, поверхности, устройство, качества, пластины, полупроводниковой, контроля, структуры

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: U 4963

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Лисеенко Ирина Владимировна, Михайлов Михаил Иванович

МПК: B23B 27/16

Метки: поворота, режущей, пластины, устройство

Текст:

...связан с зубчатым колесом, а в средней части поворотной оси выполнены конические лыски, кинематически связанные с торцем упорного винта. На фиг. 1 изображен вид вдоль оси шпинделя станка на устройство, на фиг. 2 - вид А на приводной элемент, на фиг. 3 - вид Б на резец, на фиг. 4 - сечение В-В поворотной оси резца, на фиг. 5 - вид сверху на резец. Устройство для поворота режущей пластины, состоит из приводного элемента (фиг. 2) и...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: поверхности, кремниевой, ph больше 7, пластины, качества, растворе, очистки, химической, контроля, способ, полупроводниковой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кресло Сергей Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, полупроводниковых, пластины, диффузии, примесей, кремниевые, приборов, способ, изготовления, силовых

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: способ, обратной, стороны, формирования, металлизации, кремниевой, пластины

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: B24D 5/12, B24D 3/00

Метки: резки, внутренней, режущей, круг, кубической, монокристаллов, алмазный, сингонии, пластины, кромкой

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/302, B28D 5/02, H01L 21/304...

Метки: резки, пластины, слитков, способ, кремния

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 7494

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Пантелеенко Федор Иванович, Снарский Андрей Станиславович

МПК: B23K 35/36

Метки: пластины, инструментального, инструментов, способ, нанесения, металлорежущих, покрытия

Текст:

...покрытия на данных режимах и при данной выдержке происходит рафинирование металла, снижается (практически до 0 ) пористость обработанного покрытия, структура приобретает мелкодисперсное строение. Проведением последующего отпуска на заявляемых режимах достигается снятие закалочных напряжений, повышение пластичности и трещиностойкости покрытия. При этом сохраняется достаточно высокий уровень твердости покрытия за счет протека 3 7494 1...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ухов Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: измерения, пластины, нарушенного, глубины, поверхности, способ, полупроводниковой, кремниевой, слоя

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...

Номер патента: 971

Опубликовано: 15.12.1995

Автор: Ульф Недстед

МПК: B65B 31/02

Метки: способ, термопластичной, упаковочного, соединения, торцевой, контейнера, корпусом, пластины

Текст:

...стороны,на некоторое растоянне от кожуха 1. Когда зажимное приспособ ление З поцжато к верхнему концу кожуха 1, периферийная кромкаконцевой пластины 6 зажимается в то же время воздухонепроницаемо между круговой контактной поверхностью 15 на закимном устройстве 3, обращенной вниз, и соответствующей поверхностью верхнего конца кожуха 1, обращенной вверх.Опорный элемент 10 донной части 2 возле корпуса 5 упаковочногоконтейнера также поддерживает...