H01L 29/872 — диоды Шотки
Диод Шоттки
Номер патента: 18438
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...
Диод Шоттки
Номер патента: 18137
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...
Высоковольтный быстродействующий диод
Номер патента: 16468
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Голубев Николай Федорович, Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Пуцята Владимир Михайлович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Метки: высоковольтный, диод, быстродействующий
Текст:
...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...
Диод Шоттки
Номер патента: 16184
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Малышев Сергей Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич, Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...
Диод Шоттки
Номер патента: 15400
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Высоцкий Виктор Борисович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...
Диод Шоттки
Номер патента: 15214
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 15018
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Бармин Михаил Дмитриевич, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ковальчук Наталья Станиславовна
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: изготовления, способ, шоттки, диода
Текст:
...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...
Диод Шоттки
Номер патента: 14848
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 9449
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/329, H01L 29/872
Метки: изготовления, диода, шоттки, способ
Текст:
...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...
Диод Шоттки
Номер патента: 8380
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 8449
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/329, H01L 29/47, H01L 21/328...
Метки: изготовления, способ, диода, шоттки
Текст:
...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....
Диод Шоттки
Номер патента: 7113
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...