H01L 21/268 — с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: способ, мдп, изготовления, интегральных, кремниевых, схем

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Ширипов Владимир Яковлевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C30B 29/04, C23C 14/28, C30B 23/02...

Метки: способ, пленки, алмазоподобной, получения

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....