H01L 21/31 — с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/28

Метки: пленки, полипиромеллитимидной, нанесения, способ, структуру, полупроводниковую

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....

Номер патента: 2140

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Лях Николай Иванович, Ковалевский Александр Адамович, Сычевская Регина Фоминична, Чижик Александр Георгиевич

МПК: H01L 21/31

Метки: золота, золочения, зоны, способ, выводной, удаления, локального, рамки, вне

Текст:

...меньше чем 1,5 г/л приводит к снижению эффективности удаления золота с поверхности рамки выводной по месту его затеков, к снижению скорости растворения,а следовательно, и к снижению производительности труда. При увеличении содержания натрия цианистого больше 4,5 г/л ухудшается стабильность раствора, одновременно сокращается продолжительность его химической активности. Оптимальное содержание натрия лимоннокислого находится в пределах 1,5-5,0...