H01L 49/02 — тонкопленочные или толстопленочные приборы
Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов
Номер патента: 17099
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Шиманович Дмитрий Леонидович, Сякерский Валентин Степанович, Ярошевич Ирина Викторовна, Сокол Виталий Александрович
МПК: H01L 21/64, H01L 21/84, H01L 49/02...
Метки: анодных, системы, изготовления, способ, оксидов, алюминия, микроэлектронных, многоуровневой, основе, межсоединений
Текст:
...второго уровня фиг. 11 - тонкий адгезионный слой пористого оксида 23 на открытых участках алюминия второго уровня фиг. 12 - четвертая фоторезистивная маска по рисунку контактных площадок, сформированная поверх адгезионного пористого оксида 23 на фиг. 11 сквозная межэлементная изоляция второго уровня из пористого оксида алюминия 23 3 17099 1 2013.04.30 фиг. 13 - ионное травление поверхности образца до удаления ранее дополнительно...
Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 11811
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 29/00, H01L 49/02
Метки: интегральный, микросхемы, тонкопленочный, резистор, кремниевой, интегральной
Текст:
...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...
Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы
Номер патента: 6613
Опубликовано: 30.12.2004
Авторы: Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна, Воробьева Алла Ильинична
МПК: H01L 49/02
Метки: способ, интегральной, тонкопленочной, резистивно-коммутационной, изготовления, микросхемы
Текст:
...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...