Патенты с меткой «кристалла»

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Подковщиков Николай Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: обратной, прибора, кристалла, стороны, формирования, способ, полупроводникового, металлизации

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: металлизация, обратной, полупроводникового, прибора, стороны, кристалла

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кристалла, полупроводникового, присоединения, способ, кристаллодержателю, кремниевого, прибора

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 17358

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Ямная Дарья Андреевна, Качан Егор Олегович, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, установка, кристалла, обработки

Текст:

...с помощью качающего рычага. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной через упругую прокладку. Предлагаемая конструкция установки для обработки кристаллов алмаза обеспечивает смещение центра масс противовеса выше оси качания стрелы при ее рабочем положении. Поэтому действующие на противовес инерционные силы, создаваемые вдоль горизонтали с помощью источника...

Номер патента: 17134

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ямная Дарья Андреевна, Киселев Михаил Григорьевич, Новиков Александр Анатольевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, установка, алмаза, обработки

Текст:

...вибрационных колебаний, задняя пара стоек связана со станиной через элемент переменной жесткости в виде двух плоских пружин, взаимодействующий с источником вибрационных колебаний, установленным на станине. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной. Применение упругого подвеса стрелы, установленной в задней паре стоек, позволяет изменить направление...

Номер патента: 14753

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Могильный Владимир Васильевич, Муравский Александр Анатольевич, Станкевич Александр Ильич, Муравский Анатолий Александрович

МПК: G02F 1/1337

Метки: текстурированной, ориентирующей, жидкого, ориентации, формирования, способ, многодоменной, поверхности, кристалла

Текст:

...В частности, для формирования двух различных направлений ориентации жидкого кристалла достаточно только одной фотомаски, а дополнительная операция по совмещению фотомасок не требуется. Сущность изобретения состоит в создании на поверхности ориентирующей подложки полимерного рисунка (рисунков), элементы которого ориентируют ЖК в выбранном произвольном направлении с азимутальной энергией сцепления более 10-4 Дж/м 2. Рисунок создается...

Номер патента: 13967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Лётыч Вера Андреевна, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: распиливания, алмаза, кристалла, установка

Текст:

...условия качения с проскальзыванием. Кроме того, такая конструкция уменьшает возможность разбрызгивания абразив 2 13967 1 2011.02.28 ной суспензии в процессе распиливания, что также увеличивает вероятность попадания алмазных зерен из суспензии на торцевую поверхность режущего инструмента и способствует повышению производительности распиливания кристалла алмаза. Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена горизонтальная...

Номер патента: 12912

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Меркулов Владимир Сергеевич

МПК: G01N 21/21

Метки: показателей, необыкновенного, определения, ориентации, преломления, обыкновенного, лучей, оптической, одноосного, способ, оси, кристалла

Текст:

...очень пологий минимум на фоне очень малого максимального значения интенсивности. Поэтому в современной эллипсометрии предпочтительно отыскивать минимум интенсивности путем вращения анализатора (или поляризатора) при фиксированном угле падения и ориентации кристалла. Задачей настоящего изобретения является повышение точности измерений показателей преломления ,полярного и азимутального углов ориентации оптической оси. Поставленная задача...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, кремниевого, прибора, присоединения, способ, кристаллодержателю, кристалла

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 10925

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, распиливания, установка, алмаза

Текст:

...подачи абразивной суспензии на рабочую поверхность ультразвукового преобразователя, который закреплен на станине с возможностью контакта его рабочей поверхности с торцевой поверхностью режущего инструмента и внедрения абразивной суспензии в материал режущего инструмента. Такая конструкция позволяет повысить степень шаржирования торцевой поверхности режущего инструмента при его контакте с колеблющейся поверхностью ультразвукового...

Номер патента: 10056

Опубликовано: 30.12.2007

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 30/00, C30B 13/00

Метки: способ, плавающей, выращивания, зоны, кристалла, устройство, методом

Текст:

...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Зубович Анатолий Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристаллодержателю, кристалла, способ, прибора, полупроводникового, присоединения, кремниевого

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: полупроводникового, кремниевого, способ, присоединения, кристалла, прибора, кристаллодержателю

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 7371

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Прохоров Олег Александрович, Витязь Петр Александрович, Лютич Андрей Андреевич, Шелехина Виктория Михайловна

МПК: C30B 28/04, B01D 21/26, G02B 5/26...

Метки: кристалла, фотонного, области, способ, видимой, изготовления, спектра, трехмерного

Текст:

...чем меньше размер частиц порошков, тем выше ускорение осаждения для получения ФК с оптимальными оптическими характеристиками. 2 7371 1 2005.09.30 Ускорение в центробежном поле на три порядка больше ускорения свободного падения (9,81 м/с 2). В связи с этим формирование ФК в заявляемом способе происходит за гораздо меньшее время чем в прототипе. Осаждение в центрифуге, как и при свободном осаждении порошков оксида кремния(концентрация в...

Номер патента: 934

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Сомов Сергей Викторович, Попов Виктор Иванович, Гришаков Геннадий Иванович, Лукасевич Михаил Иванович, Подлесный Андрей Владимирович, Фридберг Александра Никифоровна, Львов Владимир Вилленович, Михайлов Виктор Михайлович

МПК: H01L 27/118

Метки: ячейка, базового, матричного, кристалла

Текст:

...еле ментов оказывает непосредственное влияние на функционированиеТехническим результатом предлагаемого изобретения являете он повышение степени интеграции, помехозащищенности и снижение потребляемой мощности.Достигается это тем, что в ячейке базового матричного кристалла, содержащей набор компонентов, выполненных в полуъ проводниковой подложке, /7-слоев металлизации с размещенными шинами питания, входными и выходными контактами и...