Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: обратной, способ, стороны, формирования, прибора, полупроводникового, кристалла, металлизации

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: стороны, полупроводникового, обратной, кристалла, прибора, металлизация

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, кристаллодержателю, прибора, кристалла, способ, кремниевого, присоединения

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователя, способ, солнечной, энергии, изготовления, полупроводникового

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: изготовления, полупроводникового, энергии, солнечной, преобразователя, способ

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: 17171

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Ушаков Дмитрий Владимирович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08, H01S 3/0941

Метки: полупроводникового, суммарных, определения, активной, способ, потерь, области, лазера

Текст:

...инв и пороговую плотность тока генерации ген полупроводникового лазера, имеет вид 1 генинв 1,п где п - коэффициент потерь в активной области лазера, -1 - коэффициент пропорциональности,1. Из приведенного выражения следует, что в идеальной по качеству активной области,коэффициент потерь которой равен нулю п 0, пороговый ток генерации ген будет равен пороговому току инверсии инв. Если качество активной области неидеально, т.е. суммарное...

Номер патента: 16767

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Игнатенко Олег Владимирович, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: B01J 3/06, C01B 21/064

Метки: кубического, способ, бора, получения, полупроводникового, нитрида

Текст:

...бора и катализатора дисперсностью 0,05-10,0 мкм, воздействуют на шихту давлением 4-12 ГПа при температуре 1470-3070 К и отжигают при 720-1070 К. Использование декстрина в качестве легирующей добавки более предпочтительно,чем механическая смесь элементарных добавок, поскольку он в своем составе содержит углерод и кислород, и, кроме того, декстрин в расплавленном состоянии хорошо перемешивается с порошком нитрида бора, обеспечивая однородное...

Номер патента: 16544

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: H01S 3/0941, H01S 3/08

Метки: генерации, полупроводникового, определения, лазера, порогового, тока, способ

Текст:

...На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ измерения порогового тока генерации полупроводникового лазера, а на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие его работу. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, блок питания лазера 2, светоделитель 3, зеркало 4, первый анализатор 5,второй анализатор 6, первый фотоприемник 7, второй фотоприемник 8, дифференциальный усилитель 9, измерительный...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/8238, H01C 7/00, H01C 1/00...

Метки: схемы, интегральной, полупроводникового, изготовления, высокоомного, резистора, способ, кмоп

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: получения, способ, полупроводникового, магнитного, материала

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01B 25/08, H01F 1/40, C30B 29/10...

Метки: полупроводникового, магнитного, способ, получения, материала

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: H01L 23/12

Метки: способ, мощного, изготовления, прибора, полупроводникового

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фадеева Елена Александровна, Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: cualte2, соединения, способ, полупроводникового, структурой, получения, халькопирита

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Номер патента: U 7253

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08

Метки: контроля, одномодового, полупроводникового, лазера, устройство, режима, работы

Текст:

...на фиг. 2 представлены диаграммы, поясняющие работу устройства. Устройство содержит полупроводниковый лазер 1, блок питания лазера 2,светоделитель 3, зеркало 4, линзу 5, анализатор 6, первый фотоприемник 7, второй фотоприемник 8, дифференциальный усилитель 9, измерительный блок 10. Устройство работает следующим образом. Ток накачки перестраиваемого полупроводникового лазера 1 регулируется блоком питания лазера 2. Излучение лазера 1 с...

Номер патента: U 7198

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Ушаков Дмитрий Владимирович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08

Метки: терагерцового, устройство, излучения, длиной, полупроводникового, управления, лазера, волны

Текст:

...использование двухчастотного полупроводникового лазера в качестве опорного излучателя и выделение разностной частоты из двух излучаемых им сигналов с помощью нелинейного кристалла дают сигнал терагерцового диапазона, обладающий более высокой стабильностью, чем выпускаемые терагерцовые лазеры. Сущность полезной модели поясняется с помощью чертежа, на котором представлена функциональная схема устройства управления длиной волны излучения...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, изоляция, межуровневая, прибора, полупроводникового

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Номер патента: 13391

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 29/10, H01F 1/40

Метки: способ, материала, полупроводникового, магнитного, получения

Текст:

...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...

Номер патента: 13237

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, способ, полупроводникового, изготовления

Текст:

...нитрида кремния в водороде химическая связь между атомами кремния и азота разрывается, а на оборванные связи присоединяется водород. Связь кремния с водородом при контакте с воздухом окисляется, а связь азота с водородом, представляющая собой не что иное как модифицирующие аминогруппы, остается стабильной вплоть до нанесения пленки полиамидокислоты. Поскольку нитрид кремния содержит очень много азота, количество образовавшихся...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, прибора, полупроводникового, межуровневая, диэлектрическая

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...

Номер патента: 12908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Самохвалов Валерий Константинович, Стецик Виктор Михайлович, Постоялко Игорь Иосифович

МПК: H01S 03/08

Метки: контроля, одномодового, режима, лазера, работы, полупроводникового, способ

Текст:

...точность измерения системы контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера. Предложенный способ поясняется чертежами, где на фиг. 1 представлена функциональная схема реализации способа на фиг. 2 приведена диаграмма, поясняющая ее работу. Суть способа контроля одномодового режима работы полупроводникового лазера заключается в следующем. Определяют ток накачки лазера, при котором длину волны генерации выбирают в середине участка...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Горобец Григорий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Осипов Александр Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 23/00

Метки: мощного, корпус, полупроводникового, прибора

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: присоединения, кристаллодержателю, кристалла, способ, прибора, полупроводникового, кремниевого

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 11935

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: H01S 3/08, H01S 3/0941

Метки: порогового, лазера, инверсии, полупроводникового, тока, способ, определения

Текст:

...обеспечивается согласованием спектра излучения,вводимого в активную область измеряемого лазера со спектром контура усиления активной области, за счет того, что для этого используется часть излучения, генерируемого в самой активной области. На фиг. 1 представлена функциональная схема, реализующая предлагаемый способ. Система содержит измеряемый полупроводниковый лазер 1, зеркало 2, фотоприемник 3,блок питания лазера 4, измерительный блок 5....

Номер патента: 11971

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Стецик Виктор Михайлович, Козлов Владимир Леонидович

МПК: G01K 11/00, G01J 5/00

Метки: области, лазера, температуры, полупроводникового, активной, способ, определения, изменения

Текст:

...5, где выделяется сигнал фазового рассогласования. 2 11971 1 2009.06.30 Известно, что протекание тока через активную область полупроводникового лазера вызывает повышение температуры активной области, что в свою очередь вызывает изменение длины волны (частоты) генерации лазера. Коэффициент К, определяющий величину девиации частоты излучения лазера в зависимости от температуры активной области,известен 1 и имеет значение, например, для лазерана...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: прибора, уровней, полупроводникового, p-n-переходе, способ, глубоких, выявления

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Номер патента: 11152

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C01B 17/00, C01F 7/00, C01G 3/12...

Метки: полупроводникового, cual5s8, синтеза, шихта, соединения

Текст:

...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора, способ, изготовления, системы, металлизации

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора, изготовления, способ

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, системы, прибора, металлизации, полупроводникового, кремниевого

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, полупроводникового, металлизации, системы, прибора, способ

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: U 4585

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Стецик Виктор Михайлович

МПК: H01S 3/08

Метки: излучения, полупроводникового, частоты, измерения, устройство, лазера, девиации

Текст:

...Сущность полезной модели поясняется с помощью фиг. 1 и фиг. 2. На фиг. 1 представлена функциональная схема устройства, а на фиг. 2 - временные диаграммы, поясняющие его работу. Устройство содержит полупроводниковый лазер 1, светоделитель 2,первое неподвижное зеркало 3, второе подвижное зеркало 4, фотоприемник 5, компаратор 6, счетчик 7, вычислительный блок 8, блок перемещения зеркала 9. 2 45852008.08.30 Устройство работает следующим...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: соединения, синтеза, cualte2, полупроводникового, шихта

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 10017

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Колесников Вячеслав Михайлович, Буйкевич Александр Георгиевич, Манак Иван Степанович

МПК: G01J 4/00

Метки: параметров, поляризационных, определения, полупроводникового, излучения, лазера, устройство

Текст:

...1 показана общая схема устройства измерения поляризационных характеристик излучения полупроводникового лазера. Излучение полупроводникового лазера 1 передается объективом-анаморфотом 2, исправляющим астигматизм в структуре исходного пучка излучения, в коллиматорный объектив 3,расширяющий и коллимирующий излучение до размеров, позволяющих обеспечить устойчивую работу поляризационного блока 4, особенностью которого является то, что в...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кавунов Андрей Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48, H01L 23/482...

Метки: металлизация, полупроводникового, прибора

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристаллодержателю, присоединения, прибора, способ, кремниевого, кристалла, полупроводникового

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: способ, кристаллодержателю, полупроводникового, кристалла, присоединения, кремниевого, прибора

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 8201

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Филипповская Нина Петровна, Демчук Инна Николаевна, Костомаров Сергей Владимирович

МПК: C04B 35/468, H01C 7/02

Метки: терморезисторов, нее, шихта, материала, способ, полупроводникового, получения, керамического

Текст:

...10001080 с получением титаната кальция, предварительное смешивание и помол сухим способом титанатов бария и кальция, оксида свинца,диоксида титана и диоксида кремния в вибрационной или шаровой мельнице мелющими телами на основе двуокиси циркония до размера частиц менее 1,2мкм, смешивание компонентов шихты в среде водного раствора карбоната или бикарбоната аммония в шаровой 2 8201 1 2006.06.30 мельнице мелющими шарами из полимерного материала,...

Номер патента: 7007

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Калантаева Татьяна Владимировна, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: полупроводникового, изготовления, термоэлемента, способ

Текст:

...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...