H01L 23/482 — состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Кавунов Андрей Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...