H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: кристалла, способ, прибора, полупроводникового, присоединения, кремниевого, кристаллодержателю

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, B05D 5/12, C23C 16/455...

Метки: пленки, осаждения, кремния, поликристаллического, полуизолирующего, способ

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: диода, изготовления, шоттки, способ

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 29/00

Метки: встроенным, каналом, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: датчик, солнечной, энергии, полупроводниковый

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, кремния, пленок, травления, поликристаллического

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: тонкопленочный, интегральный, резистор, интегральной, кремниевой, микросхемы

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дестабилизирующим, способ, параметров, воздействиям, отбраковки, повышенной, приборов, полупроводниковых, чувствительностью, ускоренной

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Котов Владимир Семенович, Емельянов Виктор Андреевич, Дударь Наталья Леонидовна

МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 29/00...

Метки: изготовления, поликремниевого, способ, высокоомного, резистора

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Дударь Наталья Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович

МПК: H01C 1/00, H01L 29/00, H01C 7/00...

Метки: резистор, поликремниевый, высокоомный

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Плебанович Владимир Иванович, Сидерко Александр Александрович

МПК: B01F 03/04, G05D 23/00, F24H 9/02...

Метки: фазы, газовой, паров, вещества, жидкого, химического, устройство, осаждения, подачи, установки, реактор

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Номер патента: 11738

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Зиневич Сергей Болеславович, Гордеев Николай Александрович

МПК: G01J 1/42, H01L 29/66, H03K 17/78...

Метки: импульсное, устройство, фотоприемное

Текст:

...транзистора соединен с токозадающим резистором и конденсатором, а исток полевого транзистора соединен с истоковым резистором, второй вывод которого и затвор полевого транзистора соединены с катодом ЛФД. При этом параметры нормально открытого полевого транзистора и истокового резистора выбраны так, что при заданном максимально допустимом значении фототока падение напряжения на истоковом резисторе равно напряжению отсечки полевого транзистора,...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов, изготовлении, бора, твердых, получения, схем, интегральных, композиция, источников

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: стойкости, приборов, радиационной, полупроводниковых, кремния, основе, способ, отбраковки

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-переходе, полупроводникового, способ, выявления, уровней, глубоких, прибора

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Хойкен Михаель, Яблонский Геннадий Петрович, Гурский Александр Леонидович, Осипов Константин Александрович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: эффективности, пленки, способ, полупроводника, излучения, повышения, органического

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Номер патента: 11372

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, быстродействующих, мощных, тиристоров, способ

Текст:

...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Иванов Василий Алексеевич

МПК: H01L 31/18

Метки: получения, тонкой, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, соединения, пленки, способ

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: многослойное, пассивирующее, полупроводниковых, высоковольтных, приборов, покрытие

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, формирования, cu2znsn(se,s)4, пленки, соединения

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Тиванов Михаил Сергеевич, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, тонкой, получения, cu(in,ga)(s,se)2, пленки

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, диодов, изготовления, быстродействующих, высоковольтных

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: способ, пластины, полупроводниковой, качества, кремниевой, очистки, поверхности, растворе, ph больше 7, контроля, химической

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, полупроводникового, изготовления, системы, способ, металлизации

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, изготовления, способ, прибора

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, кремниевого, способ, прибора, металлизации, системы, полупроводникового

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 11206

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Каменев Анатолий Яковлевич, Климова Людмила Александровна, Куликов Иван Семенович

МПК: H01L 21/02

Метки: электролитно-плазменной, способ, материалов, обработки, полупроводниковых

Текст:

...по предложенному способу (при указанных температуре, напряжении и электролите) невозможна из-за неустойчивости пароплазменной подушки, возникающей при обработке на поверхности кремния, вследствие чего имеет место быстрый локальный нагрев пластин до 250-700 С и их растрескивание. 2 11206 1 2008.10.30 Использование предложенного состава электролита не обеспечивает процесса полировки поверхности кремния, вследствие преобладания процесса ее...

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C30B 29/10...

Метки: способ, создания, термочувствительного, gaas-элемента

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: пассивации, способ, меза-канавкой, тиристора, переходов

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Номер патента: 11179

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Зуев Владимир Павлович, Агейченко Александр Степанович, Васильев Алексей Андреевич

МПК: H01L 21/02, G03F 7/20

Метки: устройство, толстых, слоев, экспонирования, фоторезистов

Текст:

...содержит широкополосный источник экспонирующего света, осветительную систему с апертурной диафрагмой, ретикл с топологическим рисунком, полихроматический проекционный объектив с апертурной диафрагмой, координатный стол для размещения экспонируемой пластины, а также первый и второй интерференционные фильтры, установленные в плоскости двух указанных апертурных диафрагм соответственно и выполненные с возможностью задания заранее...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, изготовления, системы, способ, полупроводникового, металлизации

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кресло Сергей Михайлович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевые, примесей, пластины, силовых, диффузии, полупроводниковых, приборов, изготовления, акцепторных, способ

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремниевых, полупроводниковых, диодов, отбраковки, стойкости, способ, радиационной, высоковольтных

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10877

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиода, изготовления, способ

Текст:

...Первый этап включает химическое травление через маску из фоторезиста эпитаксиальных слоев широкозонного полупроводника р -типа итипа. Причем необходимо углубиться в узкозонный слой полупроводникатипа на глубину 0,1-0,4 микрона для гарантированного удаления слоя широкозонного полупроводникатипа. Наиболее приемлемым вариантом было бы травление ровно до границы раздела узкозонный полупроводниктипа - широкозонный полупроводниктипа. В...

Номер патента: U 4646

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Гесть Илья Константинович

МПК: H01L 35/00

Метки: защитная, варианты, гильза

Текст:

...Вариант 2. Поставленная задача решена также тем, что в гильзе защитной, включающей заглушенный с одной стороны металлический чехол из стали, содержащий на другом конце монтажный элемент, согласно полезной модели, чехол выполнен из аустенитной нержавеющей стали и дополнительно содержит крепежный элемент, при этом монтажный элемент выполнен в виде шестигранной болтовой головки, которая содержит отверстие с внутренней резьбой, а...

Номер патента: U 4640

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Теплоухов Игорь Семенович, Агейченко Александр Степанович, Адзерихо Борис Георгиевич, Назаров Юрий Николаевич

МПК: H01L 21/00, G01B 11/00, H01H 31/00...

Метки: шаговым, линейным, стол, двигателем, воздушной, двухкоординатный, подушке

Текст:

...пластин (печатных плат или ЖК-дисплеев) с размерами подвижной части более 600 на 600 мм и массой более 25 кг. Высокая стоимость устройства базирования стола обусловлена наличием дополнительного двигателя базирования и устройства управления этим двигателем. Задачей полезной модели является повышение производительности и надежности работы координатного стола, а также удешевление его конструкции. Поставленная задача достигается тем, что...

Номер патента: 10867

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Мороз Иван Иванович, Радюш Юрий Владимирович

МПК: H01G 4/12, C04B 35/462, H01B 3/12...

Метки: сегнетоэлектрический, материал, керамический

Текст:

...сегнетоэлектрический керамический материал получают по обыкновенной керамической технологии. Заданного состава смесь порошков исходных реактивов после ее помола подвергают обжигу при температуре 700-800 С в течение 4-5 ч и затем при температуре 900-1000 С в течение 3-4 ч с промежуточным помолом продукта первого обжига. Продукт после второго обжига измельчают и из полученного порошка спекают керамический материал при температуре 1100-1200 С в...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Гуринович Валентина Артемовна, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, кремниевых, структур, термообработки

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Ильющенко Александр Федорович, Барай Сергей Георгиевич, Шевченок Александр Аркадьевич, Гулай Анатолий Владимирович

МПК: H01L 21/00, B22F 3/08

Метки: распыляемой, пленок, получения, тонких, мишени, способ, осаждения

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...