Луценко Евгений Викторович

Номер патента: U 10300

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Свитенков Илья Евгеньевич, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Ржеуцкий Николай Викторович

МПК: G01R 31/40

Метки: лазерный, полихроматический, излучения, солнечного, имитатор

Текст:

...солнечного элемента. Полихроматический лазерный имитатор солнечного излучения работает следующим образом излучение всех шести лазеров 1-6 сводят стеклянной призмой 7 в один световой пучок, который затем фокусируют линзовой системой 8, 9 на поверхность солнечного элемента 10, интенсивность излучения лазеров на поверхности солнечного элемента устанавливают так, чтобы их вклад в общее излучение соответствовал таблице, а суммарная...

Номер патента: U 8369

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Никоненко Сергей Викторович, Луценко Евгений Викторович, Данильчик Александр Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: излучения, основе, светодиода, источник, эталонный, белого

Текст:

...расположение терморезистора на выходных контактах светодиода, что обуславливает большую разность температур между чипом светодиода и терморезистора, регулирование температуры по прямому напряжению смещения светодиода, которое в общем случае зависит от старения светодиода. Для установления зависимости напряжения смещения от температуры светодиодного чипа требуются прецизионные измерения для каждого отдельного светодиодного чипа. Для...

Номер патента: U 8354

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Никоненко Сергей Викторович, Данильчик Александр Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: эталонный, монохромный, светодиод

Текст:

...светодиодов светового потока, силы света, координат цветности, доминантной длины волны, чистоты цвета, а также пиковой длины волны 3. Монохромный возимый эталонный светодиод состоит из светодиода с линзой термостатированного корпуса эталонного светодиода встроенного терморезистора, установленного на выходных контактах светодиода и используемого в качестве индикатора температуры. Стабилизацию температуры светодиодного чипа...

Номер патента: U 8225

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Никоненко Сергей Викторович, Ржеуцкий Николай Викторович, Зубелевич Виталий Зигмундович, Данильчик Александр Викторович, Ждановский Владимир Анатольевич, Луценко Евгений Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: усредненной, силы, света, светодиодов, измерения, устройство

Текст:

...фотодиодную головку и блок регистрации держатели фотометрической и фотодиодной головок систему питания источников излучения, состоящую из программируемого источника тока/мультиметра и цифрового мультиметра персональный компьютер. Для управления гониометром использован двухканальный контроллер шаговых двигателей, обеспечивающий автоматизированное управление поворотными платформами. Для прецизионной установки испытуемого светодиода и...

Номер патента: U 8173

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Зубелевич Виталий Зигмундович, Ржеуцкий Николай Викторович, Данильчик Александр Викторович, Никоненко Сергей Викторович, Ждановский Владимир Анатольевич

МПК: G01J 1/00

Метки: силы, измерения, источников, распределения, пространственного, устройство, излучения, твердотельных

Текст:

...использована система термостабилизации, состоящая из термоконтроллера, элемента Пельтье и датчика температуры, обеспечивающая задание и поддержание стабильной температуры. Все это позволяет проводить измерения в различных стабильных температурных условиях и минимизировать ошибки измерения силы света и излучения, обусловленные дрейфом и флуктуациями температуры, а также позволяет расширить номенклатуру испытуемых твердотельных источников...

Номер патента: 15271

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Луценко Евгений Викторович

МПК: G01R 33/00

Метки: зоны, сужения, полупроводника, параметра, определения, запрещенной, способ

Текст:

...данным , кривая 3 - расчет для постоянных хвостов плотности состояний (ширина хвостов 50 мэВ,5,310-5 мэВсм),на фиг. 4 - кривые зависимости величиныот концентрации носителей 0, кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 4 - учет изменения ширины хвостовот температуры и уровня возбуждения полупроводника (4,110-5 мэВсм),на фиг. 5 - кривые зависимостиот температуры , кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 2...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович, Данильчик Александр Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: изготовления, эпитаксиальному, слою, p-gan, способ, омического, прозрачного, контакта

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Гурский Александр Леонидович, Хойкен Михаель, Осипов Константин Александрович, Павловский Вячеслав Николаевич

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: повышения, полупроводника, эффективности, пленки, способ, излучения, органического

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Номер патента: 8954

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Подденежный Евгений Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Демидович Александр Анатольевич

МПК: C03C 3/06, C03C 4/12

Метки: люминесцирующее, стекло, кварцевое

Текст:

...составляет не менее 1.Стекло получали прямым золь-гель методом. В качестве исходного сырья использовали тетраэтилортосиликат 51(0 С 2 Н 5)4, соляную кислоту НС 1 (как катализатор), аморфный тонкодисперсный кремнезем 5102 (как наполнитель для уменьшения растрескивания ксерогелей), соли тулия Тш(1103)3 и алюминия А 1(1 Т 03)3 и дистиллированную воду Н 20. Тетраэтилортосиликат подвергали гидролизу в водном растворе в присутствии соляной кислоты...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Шинеллер Бернд, Яблонский Геннадий Петрович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/283, H01L 33/00...

Метки: контакта, изготовления, способ, омического, эпитаксиальному, прозрачного, p-gan, слою

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...