H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, кремниевых, полупроводниковых, способ, изготовления, геттером

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 6374

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66

Метки: изделий, качества, поверхности, способ, контроля

Текст:

...разрешающей способности, глубины резкости, размеров и яркости изображения. 3 6374 1 Поставленная задача решается тем, что в способе контроля качества поверхности изделий путем наблюдения на экране изображения поверхности, полученного отражением света от контролируемого изделия, освещенного точечным источником, освещение проводят расходящимся пучком света. Сущность заявляемого способа заключается в формировании изображения контролируемой...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Пинаева Маргарита Михайловна, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрических, пленок, формирования, способ

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Номер патента: 6271

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00

Метки: фотоприемник, лавинный

Текст:

...проводимости 2 с участками буферного слоя 4 соединены параллельно. На обратной стороне подложки 1 сформирован второй металлический электрод 7, образующий омический контакт к подложке 1. Устройство работает следующим образом. К металлическим электродам 5 и 7 прикладывается постоянное напряжение таким образом, чтобы - переход находился под обратным смещением. При этом все приложенное напряжение в основном падает на буферном слое 4 и области...

Номер патента: 6285

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Скубилин Игорь Михайлович, Поляков Вадим Витальевич, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: пирометр

Текст:

...и расстояниях между объектом, температура поверхности которого измеряется, и датчиками пирометра,повышение точности, исключение субъективизма в результатах измерения и снижение инерционности. Технический результат достигается тем, что в пирометр, содержащий вход, из прозрачного в рабочем спектральном диапазоне материала, оптической связи и датчик излучения нагретого тела, расположенный на оптической оси с входом, введены, взамен датчика...

Номер патента: 6250

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор, мощный

Текст:

...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Ухов Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевой, слоя, измерения, глубины, способ, полупроводниковой, пластины, поверхности, нарушенного

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич

МПК: H01L 31/18

Метки: cugase2, cuinse2, халькопиритных, тонких, получения, способ, или, пленок

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Номер патента: 6044

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Письменов Дмитрий Александрович, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: дистанционного, измерения, температуры, способ

Текст:

...алгоритмическая сложность определения температуры и, как результат, значительная аппаратурная избыточность, низкая надежность в работе и значительная эксплуатационная сложность. Кроме того, известные способы бесконтактного измерения температуры и пирометры обладают общим недостатком, состоящим в критичности к углам визирования, расстоя 2 6044 1 нию от объекта до приемника излучений, неприменимостью для измерения температуры в широком, от...

Номер патента: 6050

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ефремов Георгий Игнатьевич, Мухуров Николай Иванович

МПК: H01H 59/00, H01L 41/08

Метки: микрогироскоп, колебательного, типа

Текст:

...стеклоприпоями, не могут иметь высокую надежность. Технической задачей изобретения является повышение надежности микрогироскопов колебательного типа. Решение технической задачи достигается тем, что в микрогироскопе колебательного типа, содержащем диэлектрическое основание с двумя неподвижными электродами цепи возбуждения вынужденных колебаний и двумя неподвижными электродами цепи измерения, плоскую диэлектрическую подложку с одним общим...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Петров Николай Петрович, Болдышева Ирина Петровна, Лыньков Леонид Михайлович

МПК: H01L 39/24, H01L 39/22

Метки: способ, сверхпроводников, высокотемпературных, пленок, создания, тонких, конфигурации

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сугакова Татьяна Евгеньевна, Гранько Владимир Ильич, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, пластин, состав, полупроводниковых, очистки

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...

Номер патента: 5334

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Хитько Валентин Иванович, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 31/10

Метки: ключ, фоторезистивный

Текст:

...(1-9)1014 см-3, приконтактныйслой- типа - 3, толщиной 0,2 мкм с концентрацией (2-8)1018 см-3 - методом напыления наносятся // слои толщиной 0,1/0,05/0,6 мкм соответственно, являющиеся после проведения процесса взрывной фотолитографии, токоведущей металлической шиной 4, образующей с - приконтактным слоем 3 полупроводниковой пластины после вжигания омический контакт. Далее методами химического или плазмохимического травления удаляется-...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович, Малькевич Владимир Эдуардович, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 21/316

Метки: пассивирующее, галлия, подложек, покрытие, арсенида

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, галлия, ионного, легирования, арсенида

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна, Силин Анатолий Васильевич, Усов Геннадий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/06

Метки: статического, защиты, схемы, моп, выходного, элемент, транзистора, интегральной, электричества

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Номер патента: 4853

Опубликовано: 30.12.2002

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: оптической, способ, имплантации, дозиметрии, ионной

Текст:

...калибровочные функции известного способа, взятого за прототип, для ионов мышьяка с энергией Е 50 кэВ (кривая 1) и фосфора с энергией Е 80 кэВ (кривая 2) при длине волны зондирующего излучения 632,8 нм. На фиг. 2 - зависимости показателя преломления нелегированного поликремния (кривая 3) и монокристаллического кремния (кривая 4) от длины волны зондирующего излучения. На фиг. 3 - зависимости коэффициента поглощения нелегированного...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Колешко Владимир Михайлович, Гулай Анатолий Владимирович, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: C23C 14/34, H01J 37/32, H01J 37/34...

Метки: распыляемых, осаждения, тонких, мишеней, получения, способ, пленок

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Лойко Галина Ивановна, Савостьянова Наталья Александровна, Закроева Нина Михайловна, Корытько Дмитрий Константинович

МПК: H01L 33/00

Метки: диода, изготовления, способ, светоизлучающего

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Ануфриев Леонид Петрович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/265, H01L 29/78

Метки: способ, высоковольтного, изготовления, дмоп-транзистора, мощного

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4463

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Поседько Алла Станиславовна, Поседько Валерий Сергеевич, Сивенков Владимир Кириллович, Трофимов Юрий Васильевич

МПК: H01L 31/12, G11C 11/42, G02F 3/00...

Метки: многофункциональный, оптрон, индикаторный

Текст:

...с соответствующими фотоприемниками, при этом не требуется оптически разделять светодиод от второго фотоприемника, что упрощает конструктивное выполнение оптрона. Встречно-параллельное включение двух светодиодов с разными спектральными характеристиками, согласованными со спектральными характеристиками соответствующих фотоприемников, позволяет увеличить число устойчивых состояний оптрона до трех, при этом никаких дополнительных управляющих...

Номер патента: 4441

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Коновалов Виктор Алексеевич, Муравский Анатолий Александрович, Минько Анатолий Антонович, Яковенко Сергей Евгеньевич

МПК: H01L 21/02, G02F 1/13

Метки: подложек, изготовления, способ, покрытие, планаризирующее

Текст:

...изображения требуется задавать толщинужидкокристаллического слоя, исходя из определенной величины соотношения /, в которое входят двулучепреломлениежидкого кристалла и длина волны 3. Для каждой длины волны это соотношение задает свое оптимальное значение толщины жидкокристаллического слоя. Соответственно, выравнивая неровности рельефа по предлагаемому изобретению можно одновременно задавать в области каждого цветного фильтра такую толщину...

Номер патента: 4492

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Гринис Лариса Михайловна

МПК: H01L 21/288

Метки: пленках, тонких, покрытия, паяемого, алюминия, получения, способ

Текст:

...осаждения никеля вводят фторид натрия или калия и создают слабокислую среду с рН 3,5-5 введением аминоуксусной кислоты. Аминоуксусная кислота является также комплексообразующим агентом, связывающим ионы никеля в растворимые комплексы и регулирующим скорость контактного обмена алюминия на никель. Контактное осаждение никеля проводят в водном растворе, содержащем соль никеля в количестве 20-60 г/л, натрий фтористый или калий фтористый в...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, способ, стекла, борофосфоросиликатного, пленки

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Номер патента: 4235

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: КИНЗЕР, Дэниел М.

МПК: H01L 21/235, H01L 29/772

Метки: полупроводникового, способ, моп-прибора, изготовления, полевого

Текст:

...в качестве теневой маски. На фиг. 13 изображена структура, показанная на фиг. 12, на которой проведены последующее удаление фоторезиста и металлизация структуры с выполнением усовершенствованной операции нанесения покрытия. На фиг. 14 изображено усовершенствование способа, при котором после операции, показанной на фиг. 3,формируют и -имплантант и Р-имплантант через отверстия, сформированные первой маской. На фиг. 15 изображена структура,...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/425, H01L 29/78

Метки: изготовления, дмоп-транзистора, высоковольтного, мощного, способ

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/331

Метки: высоковольтного, дмоп-транзистора, способ, изготовления, мощного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...

Номер патента: 4014

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Голубев Николай Федорович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 29/72

Метки: устойчивый, биполярный, мощный, обратному, пробою, вторичному, транзистор

Текст:

...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Смагин Дмитрий Леонидович, Буслов Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, фосфоросиликатного, способ, осаждения, пленок

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 3908

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Михаэль БОЙ, Вольфганг ХЕНЛЯЙН, Фолькер ЛЕМАНН

МПК: H01L 27/10, H01G 4/008

Метки: меньшей, изготовления, конденсатором, способ, схемная, структура, одним, мере

Текст:

...является идеально применимым для - - элементов, т.е. элементов с поверхностным монтажом. Для оптимизации способа изготовления используют все секреты производства кремниевой микроэлектроники. После изготовления дырочных отверстий на поверхности подложки создают диэлектрический слой. Так как диэлектрический слой должен конформно покрывать всю поверхность, также и в области дырочных отверстий, в качестве диэлектрических слоев пригодны...

Номер патента: 3790

Опубликовано: 30.03.2001

Автор: Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

Текст:

...направленности. Эта задача достигается тем, что СП содержит концентратор из полупроводникового материала, выполненный в виде усеченного конуса с металлизированными стенками, в меньшем основании которого расположен светоизлучающий слой, а в большом - линза, что позволяет сузить диаграмму направленности и увеличить внешнюю квантовую эффективность. По сравнению с прототипом 3 предлагаемый СП имеет существенные отличия за счет того, что...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Бордодынов Александр Петрович, Юшкевич Геннадий Иосифович

МПК: H01L 21/308

Метки: изготовления, полупроводниковых, схем, способ, интегральных

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Дереченник Станислав Станиславович, Баранов В. В., Урбан Михаил Владимирович, Корчаго Наталия Васильевна, Старовойтов Иван Васильевич

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

Текст:

...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...

Номер патента: 3417

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Курганович Александр Александрович, Довнар Николай Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/306, C23F 1/46

Метки: регенерации, кислоты, основе, ортофосфорной, способ, травителя

Текст:

...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...

Номер патента: U 92

Опубликовано: 30.03.2000

Автор: Белокурский Юрий Иванович

МПК: H01L 43/00, G01R 33/00

Метки: датчик, холла

Текст:

...сумматор токов и преобразователь модуля напряжения в ток, причем вход последнего соединен с выходом усилителя ЭДС Холла, а его выход соединен с первым входом сумматора. Второй вход сумматора токов соединен с выходом источника управляющего тока. Токовые же электроды элемента Холла подключены в выходную цепь сумматора токов. На фиг. 1 представлена схема предлагаемого датчика Холла. На фиг. 2 показан график выходной характеристики датчика...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: поликристаллического, способ, изготовления, конденсатора, кремния, обкладки

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Номер патента: 3059

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Юрченок Лариса Григорьевна, Агафонов Владимир Михайлович, Закроева Нина Михайловна

МПК: H01L 31/18

Метки: мпм-фотодиода, изготовления, способ

Текст:

...формируются электроды напылениеми последующим удалением фоторезистивной маски, после чего делается процесс фотолитографии и проводится последовательно плазмохимическое травление диэлектрика и сильнолегированного эпитаксиального слоядо полуизолирующей подложки , далее формируются металлические выводы к электродам на основе барьеров Шоттки с помощью напыленияи последующей фотолитографии и в завершение проводится пассивация поверхности...

Номер патента: 3154

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Демчук Инна Николаевна, Казакова Людмила Михайловна

МПК: H01C 7/02, H01L 23/522

Метки: терморезистор

Текст:

...титана или титаната бария и двухслойные омические контакты, сформированные из адгезионного подслоя, контактирующего с поверхностью термочувствительного элемента, и основного электрода из вожженного серебра, нанесенного на подслой, технический результат обеспечивается тем, что адгезионный подслой выполнен из вожженного алюминия толщиной 10-20 мкм, а основной электрод - толщиной 4-8 мкм. В данном случае повышение механической прочности...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: покрытий, подложках, способ, полупроводников, пористости, ашвv, контроля

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....