Патенты с меткой «прозрачного»
Способ получения интерференционных картин для определения термооптических характеристик прозрачного объекта
Номер патента: 15759
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Буть Андрей Иванович, Ляликов Александр Михайлович
МПК: G01N 21/71, G01B 9/027, G01B 9/021...
Метки: определения, получения, характеристик, термооптических, прозрачного, объекта, способ, интерференционных, картин
Текст:
...фильтрации дифрагированных на опорной голограмме 12 пучков света, при получении на экране 13 интерференционной картины. Оптическая система пространственной фильтрации выполнена в виде объектива 14 и непрозрачной диафрагмы 15. Интерферометр образован оптическими элементами 4, 5 и 6. Приспособление термического воздействия служит для создания определенной температуры в объекте 9. Регулирование температуры реализуется электрическим...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN
Номер патента: 15439
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович
МПК: B82B 3/00, H01L 21/02, H01L 33/00...
Метки: изготовления, слою, омического, эпитаксиальному, способ, p-gan, прозрачного, галлия, контакта, нитрида
Текст:
..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 13804
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02
Метки: эпитаксиальному, изготовления, слою, p-gan, контакта, прозрачного, способ, омического
Текст:
...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Данильчик Александр Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: омического, способ, изготовления, контакта, эпитаксиальному, слою, прозрачного, p-gan
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Стекло для прозрачного стеклокристаллического материала
Номер патента: 11825
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Чертко Геннадий Васильевич, Бобкова Нинель Мироновна, Рачковская Галина Евтихиевна
МПК: C03C 10/00
Метки: стеклокристаллического, прозрачного, материала, стекло
Текст:
...приводящая к изменению окраски материала от голубого до черного цвета и, как следствие, к снижению светопрозрачности. Задачей предлагаемого изобретения является снижение температуры синтеза стекла,обеспечение одноступенчатой термообработки, стабилизация кристаллической фазы при сохранении светопрозрачности и близкого к нулю ТКЛР стеклокристаллического материала. Для решения поставленной задачи предлагается стекло для прозрачного...
Способ производства огнестойкого прозрачного слоистого элемента и устройство для его реализации
Номер патента: 10677
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Ляпин Руслан Алиевич, Ляпин Али Ибрагимович, Сай Джанфранко
МПК: B32B 17/06, C09K 21/00, C03C 27/12...
Метки: способ, слоистого, устройство, производства, элемента, реализации, огнестойкого, прозрачного
Текст:
...теплостойкого, прозрачного, слоистого элемента будет незначительной. Эксплуатационные свойства смеси и огнестойкого элемента в целом определяются концентрацией кремнезема. Смесь, имеющая плотность более 1300 кг/м 3 и содержащая кремнезема более 20 мас. , в результате полимеризации превращается в достаточно твердый гель, обеспечивающий огнестойкость и несущую способность огнестойкого, прозрачного слоистого элемента. Требуемые свойства...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель, Луценко Евгений Викторович, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович
МПК: H01L 21/283, H01L 21/28, H01L 33/00...
Метки: изготовления, слою, прозрачного, p-gan, способ, омического, контакта, эпитаксиальному
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...
Способ получения электропроводящего прозрачного покрытия из оксида индия
Номер патента: 960
Опубликовано: 15.12.1995
Авторы: Танасейчук Алексей Станиславович, Федосенко Николай Николаевич, Шершнев Евгений Борисович
МПК: C23C 14/28, C23C 14/08
Метки: получения, покрытия, индия, оксида, электропроводящего, прозрачного, способ
Текст:
...и значительно снижают величину удельного сопротивления.При оптимальных технологических режимах напыления величина светопропускания превышает 93.Ионизация кислорода и азота необходима при осуществлении предлагаемого способа. Она позволяет использовать привзаимодействии атомарный кислород и азот, что химически более оправдано, чем использование молекулярных компонентов газовой смеси. Плазма разряда эффективно стимулирует...