H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 17799

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, диодов, способ, лавинных, обработки

Текст:

...(РД). Если создать условия, при которых ГУ, попадающие в ООЗ перехода,остаются заполненными носителями заряда, то при подаче отрицательного смещения величина напряжения на диоде в начальной стадии пробояможет быть выше стационарного (расчетного) напряжения пробояна величину перенапряжения-.-образность ВАХ исчезает только после опустошения ГУ. При достаточно высокой концентрации ГУ их перезарядка способна оказать существенное влияние на...

Номер патента: U 9552

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 31/042

Метки: энергии, солнечной, генератор

Текст:

...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, межуровневой, способ, изоляции, изготовления, диэлектрической, полупроводниковых

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: 17531

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Петлицкий Александр Николаевич, Шведов Сергей Васильевич, Филипеня Виктор Анатольевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/28

Метки: мдп-микросхемы, способ, отказ, времени, определения, диэлектрика, наработки, подзатворного

Текст:

...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...

Номер патента: U 9429

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 35/02

Метки: генератор, термоэлектрический

Текст:

...не контактирующей с -областью перехода, в виде электрически связанных микрорезонаторов, и вторую резонансную структуру, аналогичную первой, выполненную из части второго проводника, не контактирующей с -областью перехода, оптически связанные с прозрачной панелью и зеркалами, причем резонансные структуры расположены в пространстве так, чтобы их выходные сигналы были в противофазе, а -область и -область имеют разные степени легирования и...

Номер патента: U 9371

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 35/00

Метки: наноструктурный, термоэлектрик, объемный

Текст:

...подложку, на которой с обеих сторон на диэлектрике расположены двухмерные наноструктуры, а в подложке и диэлектрике параллельно электродам выполнены наноразмерные углубления, внутри которых двухмерные наноструктуры разделены нанозазорами. Для эффективного решения поставленной технической задачи ширина нанозазоров не превышает длину волны де Бройля для используемых полупроводниковых материалов. Для эффективного решения поставленной...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: микросхем, окнах, удаления, полимера, изготовлении, интегральных, контактных, способ

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Корзун Борис Васильевич, Пушкарев Анатолий Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: получения, способ, растворов, твердых, полупроводниковых

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G05D 23/00, H01L 21/02, B08B 3/02...

Метки: способ, пластин, травления, аэрозольной, диоксида, полупроводниковых, пленки, химической, очистке, кремния

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 17477

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Карпинский Дмитрий Владимирович, Чобот Александра Николаевна, Терешко Нина Викторовна, Мантыцкая Ольга Станиславовна

МПК: H01L 41/187, C04B 35/40

Метки: пьезоэлектрический, материал, керамический

Текст:

...замещение вызывает в феррите висмута локальные кристаллоструктурные искажения, в результате возникают локальные напряжения, меняющиеся под воздействием электрического поля. Частичная замена ионов висмута ионами лантана в А-подрешетке, а ионов железа ионами титана в В-подрешетке перовскитной структуры феррита висмута позволяет получить пьезоэлектрический материал, проявляющий повышенное электросопротивление при комнатной температуре....

Номер патента: 17448

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Денисов Андрей Анатольевич, Молчанов Павел Геннадьевич, Черенкевич Сергей Николаевич, Булай Павел Михайлович

МПК: G01N 27/00, A61B 5/04, A61N 1/04...

Метки: сигналов, микроэлектродного, регистрации, способ, массива, электрофизиологических, изготовления, планарного

Текст:

...проволочных электродов в стеклянную поликапиллярную матрицу, внедрении электродов путем температурного оплавления матрицы, скалывании матрицы в плоскости границы оплавления для освобождения выводов микроэлектродного массива, шлифовке торца матрицы для формирования рабочей поверхности. Такое решение позволяет использовать для изготовления матрицы и внедрения электродов одну и ту же электропечь, в качестве сигнальных выводов использовать...

Номер патента: 17444

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Иванова Юлия Александровна, Кулак Анатолий Иосифович, Иванов Дмитрий Константинович, Стрельцов Евгений Анатольевич

МПК: C25D 7/12, H01L 21/18, C25D 3/38...

Метки: осаждения, способ, p-типа, проводимости, поверхность, пластины, кремниевой, меди, электрохимического, фотоселективного

Текст:

...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...

Номер патента: 17506

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Меледина Марина Владимировна

МПК: H01L 21/288

Метки: алюминия, способ, покрытия, получения, пленке, тонкой, паяемого

Текст:

...контактным цинкованием. Сущность заявляемого способа получения паяемого покрытия на тонкой пленке алюминия толщиной 1 мкм и более заключается в следующем. Растворы и режимы обработки,предлагаемые в данном изобретении, разработаны с учетом максимально щадящего действия на тонкую алюминиевые пленку и в то же время рассчитаны на достижение эффективного результата. Оба раствора, как относительно слабый буферный раствор плавиковой кислоты в...

Номер патента: U 9332

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 29/86

Метки: детекторный, выводами, диод, балочными

Текст:

...счет уменьшения потерь на отражение. Поставленная техническая задача решается тем, что детекторный диод с балочными выводами, содержащий последовательно расположенные друг над другом подложку, -слой, -слой и слой диэлектрика, катодный контакт к-слою, анодный контакт к слою, балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный на катодном и анодном балочных выводах, имеющий в центре над всей областью диода окно,а крайние...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/788

Метки: затвором, транзистор, полевой, плавающим

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9264

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ярмолович Вячеслав Алексеевич, Анищик Виктор Михайлович

МПК: H01L 43/06, G01R 33/07

Метки: миниатюрный, датчик, магнитного, поля

Текст:

...поясняется фиг. 1-3. На фиг. 1 изображен заявляемый миниатюрный датчик магнитного поля. Размеры приведены ориентировочно. На фиг. 2 приведена электронная функциональная схема подключения элемента Холла и проводящего пленочного элемента в виде спирали. На фиг. 3 приведена электронная функциональная схема подключения полупроводниковой структуры типа, обладающей -эффектом, к источнику постоянного стабилизированного напряжения. Миниатюрный датчик...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: напряжений, структуре, остаточных, контроля, кремниевой, покрытие sio2–основа si, способ

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: aііbvі, полупроводниковых, или, монокристаллического, пленок, формирования, групп, бинарных, aіvbvі, подложках, кремния, соединений, способ

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: U 9188

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечного, когенерации, излучения, устройство

Текст:

...расположены по обе стороны цилиндрической эпитаксиальной структуры, причем их плоскость симметрии проходит через ось симметрии цилиндрической эпитаксиальной структуры и перпендикулярна прямым солнечным лучам в полдень, а плоскость симметрии цилиндрической эпитаксиальной структуры совмещена с фокусами обеих прозрачных фокусирующих линз, оптические оси которых параллельны лучам Солнца утром и вечером первую и вторую параболоцилиндрические линзы,...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: U 9082

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Широков Олег Геннадьевич, Зализный Дмиитрий Иванович, Широков Глеб Олегович, Гончаров Игорь Михайлович

МПК: G01K 7/00, H01L 35/02

Метки: датчик, температуры

Текст:

...диагностируемого объекта и невозможность при эксплуатации одновременного измерения температуры исследуемого объекта и температуры воздуха около этого объекта. Задачей заявляемой полезной модели является расширение функциональных возможностей устройства за счет обеспечения одновременного измерения температуры объекта и температуры воздуха около объекта. Поставленная задача достигается тем, что в известном устройстве, содержащем защитную...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Гайдук Петр Иванович

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: памяти, формирования, способ, нанокристаллов, германия, энергонезависимой

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 33/20

Метки: изготовления, способ, гетеропереходного, светодиода

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Номер патента: 17099

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Ярошевич Ирина Викторовна, Шиманович Дмитрий Леонидович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/84, H01L 49/02, H01L 21/64...

Метки: микроэлектронных, основе, системы, способ, межсоединений, алюминия, оксидов, изготовления, многоуровневой, анодных

Текст:

...второго уровня фиг. 11 - тонкий адгезионный слой пористого оксида 23 на открытых участках алюминия второго уровня фиг. 12 - четвертая фоторезистивная маска по рисунку контактных площадок, сформированная поверх адгезионного пористого оксида 23 на фиг. 11 сквозная межэлементная изоляция второго уровня из пористого оксида алюминия 23 3 17099 1 2013.04.30 фиг. 13 - ионное травление поверхности образца до удаления ранее дополнительно...

Номер патента: U 8962

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 21/00

Метки: элемент, солнечный

Текст:

...инфракрасные приемники, соединенные последовательно или параллельно и содержащие как минимум по одному детектору и полуволновому вибратору, геометрические размеры которых заданы длиной волны преобразуемого инфракрасного излучения окружающей среды, содержит сформированные в каждом первом слое полупроводникового материала параллельно лицевой поверхности субмикронные структуры, а на торцах - зеркала. Для эффективного решения поставленной...

Номер патента: 16900

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Красуцкая Наталья Сергеевна, Клындюк Андрей Иванович, Чижова Екатерина Анатольевна

МПК: C04B 35/50, H01L 35/22

Метки: оксидный, материал, термоэлектрический

Текст:

...(более высокими значениями фактора мощности). Таким образом, отличительной особенностью заявляемого термоэлектрического материала является то, что он дополнительно содержит оксиды натрия или калия, которые частично замещают оксиды лантаноидов, что позволяет получить керамику с улучшенными термоэлектрическими свойствами. В литературе такие термоэлектрические материалы не описаны и нами предлагаются впервые. Изобретение...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: пленки, кремниевой, дисилицида, подложке, формирования, способ, титана

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: загрязнений, полимерных, плазмохимического, способ, полупроводниковых, пластин, удаления, фоторезиста, травления, поверхности, после, аэрозольного, кремниевых

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 16817

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: преобразователь, термофотоэлектрический

Текст:

...преобразователе цилиндрическая линза Френеля 1 оптически связана через первый спектроделитель 3 и протяженный цилиндрический эмиттер 2 со вторым спектроделителем 4, который оптически соединен с глухими зеркалами 5, отражательными элементами 6, фотоэлементами 7, при этом ось симметрии протяженного цилиндрического эмиттера 2 расположена параллельно большим сторонам цилиндрической линзы Френеля 1 и проходит через ее фокус. Отражательные...

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкопленочный, фотодетектор, полупроводниковый

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Номер патента: 16866

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Циммерманн Клаус, Минченя Владимир Тимофеевич, Лысенко Виктор Григорьевич, Степаненко Дмитрий Александрович

МПК: H02N 2/00, H01L 41/08

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

Текст:

...опорным поверхностям при простоте конструкции. Поставленная задача решается заявляемым пьезоэлектрическим двигателем, содержащим по меньшей мере один связанный с источником переменного электрического напряжения пьезоэлектрический элемент, выполненный с возможностью совершения изгибных колебаний, по меньшей мере два стержневых элемента, закрепленные на одной или на двух перпендикулярных направлению колебаний боковых поверхностях...

Номер патента: 16608

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 27/14, G01J 1/02

Метки: фотодетектор

Текст:

...пленок. Сущность изобретения поясняется фиг. 1, где представлен вертикальный разрез устройства, и фиг. 2, на которой приведен вид устройства сверху. 2 16608 1 2012.12.30 В фотодетекторе первая болометрическая пленка 1 термически связана с подложкой 3 и расположена на ней. Вторая болометрическая пленка 2 расположена на внутренней стороне диэлектрической пленки 5, размещенной от подложки 3 на расстоянии, исключающем с ней тепловой...

Номер патента: U 8627

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающее, устройство

Текст:

...мс помощью электропроводящего клея установлен на металлическом основании 12. Методом электронно-лучевого или магнетронного распылителя на торцевые стороны мструктуры с диэлектрическим слоем 11 по периметру через маску нанесен металлический слой 13, накоротко замыкающий мструктуру,то есть ее верхний и нижний омические контакты 10 и 4. Толщины слоев мструктуры определены экспериментально и равны электропроводящего светопрозрачного слоя 100,30,1...

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающий, элемент

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Номер патента: U 8581

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Тявловский Андрей Константинович, Шадурская Людмила Иосифовна, Гусев Олег Константинович, Воробей Роман Иванович, Свистун Александр Иванович, Жарин Анатолий Лаврентьевич, Яржембицкая Надежда Викторовна, Тявловский Константин Леонидович

МПК: H01L 29/18

Метки: фотоприемник

Текст:

...область выполнена из полупроводника, легированного примесью с двумя и более глубокими многозарядными уровнями, причем заполнение уровней многозарядной примеси происходит при разных плотностях мощности оптического излучения. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где на фиг. 1 приведена конструкция составного фотоприемника и его сенситометрические характеристики на фиг. 2 приведена конструкция фотоприемника,...

Номер патента: U 8599

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Ярмолович Вячеслав Алексеевич, Анищик Виктор Михайлович

МПК: H01L 41/08, B25J 19/02, B25J 19/00...

Метки: робота, тактильный, сенсор

Текст:

...на поверхности каждого из миниатюрных магнитов. По мнению авторов, устройство содержит вышеприведенный ряд новых и отличительных элементов, позволяющих реализовать выполнение поставленной задачи по повышению надежности при одновременном исключении энергопотребления. Решение поставленной задачи достигается тем, что в предложенном устройстве магниточувтвительный преобразователь выполнен в виде датчика Виганда 3, и имеет значительно более...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнений, состав, удаления, кремния, полимерных, поверхности

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: пластин, способ, очистки, кремниевых, полупроводниковых, разводкой, основе, струйной, алюминия, металлизированной, поверхности

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Номер патента: 16388

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/042, B82B 1/00

Метки: фотоэлемент

Текст:

...типа соседних сферических частиц, не образуя замкнутых цепей, при этом внешние концы спиральных антенн,соединенные с зонами проводимости -типа сферических частиц, образуют на переходах диоды Шоттки, а внутренние концы спиральных антенн расположены на нанорасстоянии друг от друга, причем внешняя поверхность указанного антиотражательного слоя выполнена наноструктурированной. Для эффективного решения поставленной технической задачи...

Номер патента: 16439

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Мантыцкая Ольга Станиславовна, Троянчук Игорь Олегович, Терешко Нина Викторовна, Чобот Александра Николаевна

МПК: C04B 35/40, H01L 41/187

Метки: материал, пьезоэлектрический

Текст:

...температуре эффективного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,840,163, синтезированного при 950 С в течение 10 часов (линейный пьезоэлектрический параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). В таблице представлены результаты измерения при комнатной температуре эффективного пьезоэлектрического коэффициента 33 твердых растворов с другим содержанием лантана, синтезированных при 950 С в течение 10 часов. Величина...