Патенты с меткой «диода»
Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом
Номер патента: U 10183
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сацкевич Янина Владимировна, Соловьев Ярослав Александрович, Муха Евгений Владимирович, Смирнов Александр Георгиевич, Степанов Андрей Анатольевич
МПК: H01L 31/108, H01L 27/14, H01L 31/06...
Метки: электродом, солнечный, полупрозрачным, диода, основе, наноячеистым, металлическим, элемент, шоттки
Текст:
...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 15018
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Бармин Михаил Дмитриевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: диода, способ, изготовления, шоттки
Текст:
...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 14452
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Мильчанин Олег Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: диода, шоттки, способ, изготовления
Текст:
...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 13177
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: шоттки, способ, изготовления, диода
Текст:
...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 13060
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Токарев Владимир Васильевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шамягин Виктор Павлович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: изготовления, диода, способ, шоттки
Текст:
...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...
Способ получения контактного соединения активного элемента диодного лазера, выполненного в виде лазерного диода или диодной линейки
Номер патента: 12719
Опубликовано: 30.12.2009
Авторы: Богданович Максим Владимирович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Жиздюк Татьяна Борисовна, Микаелян Геворк Татевосович, Паращук Валентин Владимирович, Енжиевский Алексей Иванович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Соколов Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич, Рябцев Геннадий Иванович, Пожидаев Александр Викторович
МПК: H01L 21/02, H01S 3/00
Метки: диодного, лазерного, контактного, соединения, способ, лазера, линейки, активного, виде, или, элемента, диодной, выполненного, получения, диода
Текст:
...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 12057
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: изготовления, шоттки, способ, диода
Текст:
...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 11278
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, способ, шоттки, диода
Текст:
...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 10443
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: диода, способ, шоттки, изготовления
Текст:
...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 9449
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/329, H01L 29/872
Метки: способ, шоттки, изготовления, диода
Текст:
...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 8449
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Пеньков Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/328, H01L 21/329, H01L 29/47...
Метки: способ, шоттки, изготовления, диода
Текст:
...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....
Способ изготовления светоизлучающего диода
Номер патента: 4669
Опубликовано: 30.09.2002
Авторы: Корытько Дмитрий Константинович, Закроева Нина Михайловна, Савостьянова Наталья Александровна, Лойко Галина Ивановна
МПК: H01L 33/00
Метки: способ, изготовления, светоизлучающего, диода
Текст:
...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...