Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 14/08, H01G 7/06, C23C 14/28...

Метки: пленок, получения, способ, конденсаторных, структур, тонких

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: легированных, пленок, способ, осаждения, кремния, фосфором

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 17897

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Максименко Алексей Алексеевич, Федотова Юлия Александровна, Жуковский Павел Викторович, Колтунович Томаш, Федотов Александр Кириллович, Ларькин Андрей Викторович

МПК: C23C 14/06, C23C 14/46, B82Y 30/00...

Метки: способ, индуктивного, импедансом, тонких, получения, типа, пленок

Текст:

...чередующихся пластин металлаи диэлектрика 23, распыляют методом ионно-лучевого распыления в смешанной атмосфере кислорода и аргона при давлении кислорода 4,4110-2 Па и аргона 5,1910-2 Па, с последующим отжигом при температуре 5753 С в течение 15 мин. Сущность способа состоит в том, что он является одностадийным благодаря распылению композиционной мишени методом ионно-лучевого распыления в кислород-содержащей атмосфере. Соотношение площадей...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: C23C 14/24, H01L 31/18, C30B 29/46...

Метки: получения, тонких, пленок, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 17348

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Гаевская Татьяна Васильевна, Перевозников Сергей Сергеевич, Позняк Сергей Кондратьевич, Цыбульская Людмила Сергеевна, Пуровская Ольга Геннадьевна

МПК: C25D 5/48, C25D 3/56

Метки: пленок, никель-фосфор, получения, ультрачерных, способ, основе, сплава

Текст:

...другие,приведенные в литературе электролиты никелирования, не обеспечивают получение качественных покрытий никель-фосфор с требуемыми параметрами, которые при дальнейшей химической обработке в растворе минеральной кислоты или смеси минеральных кислот не дают равномерную ультрачерную пленку. Составы электролитов и технические характеристики покрытий из сплава никель-фосфор и ультрачерной пленки на основе Состав электролита Коэффициенты...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: групп, aіvbvі, aііbvі, кремния, соединений, бинарных, пленок, способ, монокристаллического, формирования, полупроводниковых, подложках, или

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: 16875

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Гончаров Виктор Константинович, Щегрикович Дмитрий Васильевич, Козадаев Константин Владимирович

МПК: C08J 5/18, G02B 1/04, B82B 1/00...

Метки: способ, полученными, пленок, формирования, методом, наночастицами, лазерной, полимерных, эрозии, золотыми

Текст:

...содержатся мелкие (40-50 нм),жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5,6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути данного пучка частиц поместить жидкую среду внедрения, содержащую полимерообразующее вещество, то возможно формирование суспензии наночастиц золота и полимерообразующего вещества....

Номер патента: 16206

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: C23C 14/58, H01F 10/20, C23C 14/06...

Метки: пленок, феррит-шпинели, получения, способ

Текст:

...30-60 минут в среде кислорода. Сущность изобретения заключается в следующем полированные пластины кремния ориентации (100), диаметром 76 мм служили подложками и препарировались по стандартной методике. Составная мишень формировалась компактированнием керамических образцов (1-)24 заданного состава в виде полиэдров размерами (8055 мм). 2 16206 1 2012.08.30 Распыление мишени производилось в среде кислорода при температуре внутри камеры 905...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: C30B 29/48, C30B 23/06, G02B 1/10...

Метки: цинка, пленок, пористом, выращивания, селенида, кремнии, эпитаксиальных, способ

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 15411

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Жавнерко Геннадий Константинович, Соломянский Александр Ефимович, Чижик Сергей Антонович, Суслов Андрей Анатольевич, Агабеков Владимир Енокович, Чикунов Владислав Валентинович

МПК: B05C 3/09

Метки: мультислойных, получения, поверхности, пленок, моно-или, соединений, амфифильных, твердой, устройство

Текст:

...не являющихся ПАВ, и неорганических наночастиц. Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является создание устройства, позволяющего формировать моно- и мультислойные композиционные покрытия на поверхности подложек из амфифильных органических соединений,высокомолекулярных веществ и неорганических наночастиц как методом послойного осаждения из раствора, так и по технологии ЛБ. Устройство также должно позволять получать...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: осаждения, тонких, способ, пленок

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: вольфрама, способ, газовой, фазы, пленок, осаждения, химического

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Мащенко Александр Георгиевич, Колесова Ирина Михайловна, Кулешов Николай Васильевич, Лугинец Александр Михайлович

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: y3al5o12:yb3+, пленок, способ, монокристаллических, выращивания

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: C30B 29/32, H01L 27/00, C30B 23/06...

Метки: получения, способ, пленок, baxsr1-xtio3, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: C23C 14/46, H01F 10/10, C23C 14/08...

Метки: ферромолибдата, тонких, пленок, способ, получения, стронция

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: олова, способ, тонких, сульфоселенида, пленок, получения

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 13741

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: C25D 3/56, H01F 10/12, C25D 5/48...

Метки: пленок, магнитомягких, способ, кобальт-фосфор, получения, сплавов

Текст:

...Области повышенной плотности вещества (ячейки) обогащены атомами переходных металлов, области пониженной плотности вещества (каналы) - атомами металлоида. Далее полученную аморфную пленку подвергали изотермическому отжигу в вакууме 110-3 Па, продолжительность и температура отжига соответственно составляют 1 час и 240 С. Результаты просвечивающей электронной микроскопии и ренгеноструктурного анализа свидетельствуют о наличии смеси аморфной фазы...

Номер патента: 13658

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Гольдаде Виктор Антонович, Гончарова Екатерина Петровна, Пинчук Леонид Семенович, Короткий Максим Васильевич, Ермолович Ольга Анатольевна

МПК: B29C 47/08

Метки: биоразлагаемых, полимерных, способ, получения, пленок

Текст:

...мкм. Пленки, изготовленные способом-прототипом, состояли из ПЭВД - 60 мас. , кукурузного крахмала (ГОСТ 7697-82) в смеси (31) с глицерином(ГОСТ 6259-75) - 15 мас. , ПЭ с привитой итаконовой кислотой марки ПФ-1 (ТУ РБ 03535.297.015-97) - 23 мас. , 24 - 2 мас.Композиции готовили механическим смешением компонентов, а затем с помощью экструзионного агрегата, оснащенного щелевой головкой и вальцами, перерабатывали в пленки толщиной 1505 мкм....

Номер патента: 13031

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Дмитриева Алла Эдуардовна, Точицкий Тадеуш Антонович, Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: H01F 1/12, C25D 3/56

Метки: магнитных, нанокристаллических, электролит, пленок, получения

Текст:

...раствора 24 или 3-процентного раствора . Затем полученный электролит фильтруют с использованием фильтров типа синяя лента и, добавляя дистиллированную воду, доводят объем электролита до 1 л. Процесс электролитического осаждения ведут при температуре электролита 20 С,плотности тока 15 мА/см 2. В качестве анода используется чистый никель в качестве подложек - полированную медную фольгу. За 20 мин осаждается пленка толщиной 3 мкм,...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Телеш Евгений Владимирович, Климза Алексей Антонович, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Гесь Александр Петрович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: висмутзамещенного, монокристаллических, получения, способ, пленок, феррита, железо-иттриевого, граната

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: травления, пленок, поликристаллического, кремния, состав

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Ильющенко Александр Федорович, Гулай Анатолий Владимирович, Шевченок Александр Аркадьевич, Барай Сергей Георгиевич

МПК: B22F 3/08, H01L 21/00

Метки: тонких, мишени, распыляемой, пленок, способ, осаждения, получения

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...

Номер патента: 10283

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Воробьева Татьяна Николаевна, Венгура Андрей Викторович, Врублевская Ольга Николаевна

МПК: C23C 18/31

Метки: раствор, никелевые, безэлектролизного, покрытия, золота, осаждения, пленок

Текст:

...известных растворов безэлектролизного золочения. По показателям качества пленки золота, получаемые из заявляемого раствора, превышают достигаемые по прототипу. Так, они имеют толщину 0,08-0,12 мкм,характеризуются равномерностью, хорошей адгезией к подложке, плотной упаковкой зерен и их малыми (десятки нанометров) размерами, способностью к пайке, ультразвуковой сварке (что свидетельствует о чистоте золота), хорошей защитной способностью...

Номер патента: 9940

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шишонок Елена Михайловна, Ахматович Селим, Зверковска Эльжбета, Якубовска Малгожата, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C04B 35/583, C04B 35/58

Метки: состав, диэлектрических, изготовления, высокой, теплопроводностью, толстых, пленок

Текст:

...стеклянной связки может быть использовано литий - висмут- боросиликатное стекло, содержащее 5, в количестве не более 15 от массы смеси стеклянной связки с микропорошком. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании кубического нитрида бора в качестве функционального материала в смеси со стеклянной связкой для получения диэлектрических толстых пленок достигается их максимальная теплопроводность(250-300 /) за счет...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Турыгин Анатолий Викторович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: состав, алюминия, пленок, очистки, основе, поверхности, химической

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Номер патента: 8787

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Пехтерев Александр Владимирович, Примак Игорь Ульянович, Лебединский Юрий Анатольевич, Костюченко Дмитрий Николаевич, Романенко Алексей Андреевич, Хомченко Александр Васильевич, Глазунов Евгений Валерьевич, Сотский Борис Александрович

МПК: G01B 11/06, G01N 21/01, G01N 21/55...

Метки: определения, осуществления, параметров, тонких, способ, оптических, пленок, устройство

Текст:

...пр. Откуда находят показатель преломления п и коэффициент поглощения 1 пленки (п п 11), при этом бп / п 0,02, б 1/1 0,0113.Недостатком известного устройства является то, что измерения связаны с проведением дополнительных измерений на различных призмах. Нахождение угла уо при определенной величине зазора между призмой и пленкой (1 также вызывает затруднения, т.к. необходимо вести сканирование по углу у и в то же время измерять...

Номер патента: U 2901

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ткаченко Тамара Михайловна, Галяс Анатолий Иванович

МПК: B65B 1/00

Метки: установке, порционной, подачи, порошка, вакуумного, методу, напыления, устройство, пленок, вспышки

Текст:

...использования емкости с порошком, закрепленной на одном стержне с вибратором и потому находящейся в непрерывном колебательном движении, в устройстве предложено использовать неподвижно закрепленную емкость с порошком и отдельный механизм ее встряхивания, содержащий электромагнитное реле и толкатель, прикрепленный к якорю реле. В момент срабатывания якорь реле опускается на катушки, рывком движет за собой толкатель, толкатель ударяет по...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: твердых, способ, пленок, zn2-2xcuxinxiv2, растворов, получения

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович, Шершнев Алексей Евгеньевич

МПК: C23C 14/28

Метки: получения, пленок, алмазоподобных, установка

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шершнев Алексей Евгеньевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович

МПК: C23C 14/28

Метки: алмазоподобных, установка, получения, пленок

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Пинаева Маргарита Михайловна

МПК: H01L 21/316

Метки: формирования, пленок, способ, диэлектрических

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Номер патента: 6143

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Малащенко Алексей Терентьевич, Каморников Игорь Михайлович, Пиун Виктор Михайлович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: катодный, ионно-плазменного, пленок, узел, нанесения

Текст:

...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Минько Леонид Яковлевич, Авраменко Владимир Борисович

МПК: H05H 1/00

Метки: тонких, нанесения, устройство, пленок

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, cugase2, пленок, или, получения, халькопиритных, cuinse2, тонких

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Шершнев Евгений Борисович, Шолох Владимир Федорович, Старовойтов Александр Семенович, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Зайцев Валентин Алексеевич, Федосенко Николай Николаевич

МПК: C23C 14/28

Метки: способ, алмазоподобных, получения, пленок, углеродных

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Петров Николай Петрович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: создания, сверхпроводников, способ, тонких, конфигурации, пленок, высокотемпературных

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Колешко Владимир Михайлович, Полынкова Елена Владимировна, Шевченок Александр Аркадьевич, Гулай Анатолий Владимирович

МПК: C23C 14/34, H01J 37/32, H01J 37/34...

Метки: тонких, распыляемых, получения, пленок, осаждения, мишеней, способ

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Зайцев Валентин Алексеевич, Старовойтов Александр Семенович, Шершнев Евгений Борисович

МПК: C23C 14/28

Метки: алмазоподобных, установка, пленок, получения

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Буслов Игорь Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, фосфоросиликатного, стекла, осаждения, пленок

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 2509

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Вершина Алексей Константинович, Фигурин Борис Леонидович, Фигурин Кирилл Борисович, Береснев Александр Николаевич

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, способ, магнитных, получения, пленок

Текст:

...субструктуры кристаллов вызывает появление магнитного момента (разворота) 2509 1 кристаллов в направлении легкого намагничивания. Оптимизация ориентирующего магнитного воздействия по отношению к процессу кристаллизации нейтрализует негативное влияние внутреннего трения и обеспечивает технический результат. Напыленный материал конденсируется на подложку в аморфном (некристаллическом) состоянии на требуемую толщину. По окончании процесса...