Патенты с меткой «пленок»

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Голосов Дмитрий Анатольевич

МПК: H01G 7/06, C23C 14/28, C23C 14/08...

Метки: способ, структур, получения, конденсаторных, пленок, тонких

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/56, C23C 16/30...

Метки: кремния, осаждения, пленок, легированных, фосфором, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 17897

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Жуковский Павел Викторович, Колтунович Томаш, Ларькин Андрей Викторович, Федотов Александр Кириллович, Максименко Алексей Алексеевич, Федотова Юлия Александровна

МПК: B82Y 30/00, C23C 14/06, C23C 14/46...

Метки: тонких, типа, получения, индуктивного, способ, импедансом, пленок

Текст:

...чередующихся пластин металлаи диэлектрика 23, распыляют методом ионно-лучевого распыления в смешанной атмосфере кислорода и аргона при давлении кислорода 4,4110-2 Па и аргона 5,1910-2 Па, с последующим отжигом при температуре 5753 С в течение 15 мин. Сущность способа состоит в том, что он является одностадийным благодаря распылению композиционной мишени методом ионно-лучевого распыления в кислород-содержащей атмосфере. Соотношение площадей...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 14/24...

Метки: способ, пленок, тонких, получения

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Номер патента: 17348

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Пуровская Ольга Геннадьевна, Цыбульская Людмила Сергеевна, Позняк Сергей Кондратьевич, Перевозников Сергей Сергеевич, Гаевская Татьяна Васильевна

МПК: C25D 5/48, C25D 3/56

Метки: сплава, способ, получения, ультрачерных, основе, пленок, никель-фосфор

Текст:

...другие,приведенные в литературе электролиты никелирования, не обеспечивают получение качественных покрытий никель-фосфор с требуемыми параметрами, которые при дальнейшей химической обработке в растворе минеральной кислоты или смеси минеральных кислот не дают равномерную ультрачерную пленку. Составы электролитов и технические характеристики покрытий из сплава никель-фосфор и ультрачерной пленки на основе Состав электролита Коэффициенты...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C25D 9/08, H01L 21/02, C30B 29/10...

Метки: соединений, кремния, бинарных, групп, формирования, или, способ, aііbvі, полупроводниковых, aіvbvі, пленок, монокристаллического, подложках

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: 16875

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Гончаров Виктор Константинович, Козадаев Константин Владимирович, Щегрикович Дмитрий Васильевич

МПК: B82B 1/00, G02B 1/04, C08J 5/18...

Метки: наночастицами, полученными, способ, лазерной, эрозии, формирования, методом, пленок, полимерных, золотыми

Текст:

...содержатся мелкие (40-50 нм),жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5,6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути данного пучка частиц поместить жидкую среду внедрения, содержащую полимерообразующее вещество, то возможно формирование суспензии наночастиц золота и полимерообразующего вещества....

Номер патента: 16206

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: C23C 14/06, C23C 14/58, H01F 10/20...

Метки: пленок, феррит-шпинели, способ, получения

Текст:

...30-60 минут в среде кислорода. Сущность изобретения заключается в следующем полированные пластины кремния ориентации (100), диаметром 76 мм служили подложками и препарировались по стандартной методике. Составная мишень формировалась компактированнием керамических образцов (1-)24 заданного состава в виде полиэдров размерами (8055 мм). 2 16206 1 2012.08.30 Распыление мишени производилось в среде кислорода при температуре внутри камеры 905...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 29/48, C30B 23/06, G02B 1/10...

Метки: выращивания, селенида, пористом, способ, цинка, пленок, кремнии, эпитаксиальных

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Номер патента: 15411

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Чижик Сергей Антонович, Чикунов Владислав Валентинович, Соломянский Александр Ефимович, Жавнерко Геннадий Константинович, Суслов Андрей Анатольевич, Агабеков Владимир Енокович

МПК: B05C 3/09

Метки: пленок, твердой, получения, поверхности, устройство, моно-или, соединений, амфифильных, мультислойных

Текст:

...не являющихся ПАВ, и неорганических наночастиц. Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является создание устройства, позволяющего формировать моно- и мультислойные композиционные покрытия на поверхности подложек из амфифильных органических соединений,высокомолекулярных веществ и неорганических наночастиц как методом послойного осаждения из раствора, так и по технологии ЛБ. Устройство также должно позволять получать...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Комаров Фадей Фадеевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: осаждения, способ, пленок, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Каленик Вера Ивановна, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: вольфрама, осаждения, способ, пленок, химического, газовой, фазы

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Мащенко Александр Георгиевич, Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович, Кулешов Николай Васильевич, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: способ, y3al5o12:yb3+, монокристаллических, выращивания, пленок

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: C30B 23/06, H01L 27/00, C30B 29/32...

Метки: наноразмерных, пленок, получения, baxsr1-xtio3, способ

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Телеш Евгений Владимирович, Каланда Николай Александрович

МПК: C23C 14/08, H01F 10/10, C23C 14/46...

Метки: способ, получения, стронция, тонких, пленок, ферромолибдата

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: сульфоселенида, олова, тонких, пленок, способ, получения

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 13741

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: C25D 3/56, H01F 10/12, C25D 5/48...

Метки: способ, получения, кобальт-фосфор, магнитомягких, сплавов, пленок

Текст:

...Области повышенной плотности вещества (ячейки) обогащены атомами переходных металлов, области пониженной плотности вещества (каналы) - атомами металлоида. Далее полученную аморфную пленку подвергали изотермическому отжигу в вакууме 110-3 Па, продолжительность и температура отжига соответственно составляют 1 час и 240 С. Результаты просвечивающей электронной микроскопии и ренгеноструктурного анализа свидетельствуют о наличии смеси аморфной фазы...

Номер патента: 13658

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Короткий Максим Васильевич, Пинчук Леонид Семенович, Гончарова Екатерина Петровна, Ермолович Ольга Анатольевна, Гольдаде Виктор Антонович

МПК: B29C 47/08

Метки: пленок, способ, биоразлагаемых, получения, полимерных

Текст:

...мкм. Пленки, изготовленные способом-прототипом, состояли из ПЭВД - 60 мас. , кукурузного крахмала (ГОСТ 7697-82) в смеси (31) с глицерином(ГОСТ 6259-75) - 15 мас. , ПЭ с привитой итаконовой кислотой марки ПФ-1 (ТУ РБ 03535.297.015-97) - 23 мас. , 24 - 2 мас.Композиции готовили механическим смешением компонентов, а затем с помощью экструзионного агрегата, оснащенного щелевой головкой и вальцами, перерабатывали в пленки толщиной 1505 мкм....

Номер патента: 13031

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Точицкий Тадеуш Антонович, Шадров Владимир Григорьевич, Дмитриева Алла Эдуардовна

МПК: C25D 3/56, H01F 1/12

Метки: пленок, нанокристаллических, получения, магнитных, электролит

Текст:

...раствора 24 или 3-процентного раствора . Затем полученный электролит фильтруют с использованием фильтров типа синяя лента и, добавляя дистиллированную воду, доводят объем электролита до 1 л. Процесс электролитического осаждения ведут при температуре электролита 20 С,плотности тока 15 мА/см 2. В качестве анода используется чистый никель в качестве подложек - полированную медную фольгу. За 20 мин осаждается пленка толщиной 3 мкм,...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Волчик Татьяна Владимировна, Климза Алексей Антонович, Каланда Николай Александрович, Гесь Александр Петрович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: C30B 29/10, C30B 19/00

Метки: получения, монокристаллических, способ, висмутзамещенного, граната, пленок, феррита, железо-иттриевого

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: поликристаллического, травления, состав, кремния, пленок

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Шевченок Александр Аркадьевич, Барай Сергей Георгиевич, Ильющенко Александр Федорович, Гулай Анатолий Владимирович

МПК: H01L 21/00, B22F 3/08

Метки: осаждения, тонких, пленок, способ, распыляемой, мишени, получения

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...

Номер патента: 10283

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Врублевская Ольга Николаевна, Венгура Андрей Викторович, Воробьева Татьяна Николаевна

МПК: C23C 18/31

Метки: покрытия, осаждения, раствор, безэлектролизного, пленок, золота, никелевые

Текст:

...известных растворов безэлектролизного золочения. По показателям качества пленки золота, получаемые из заявляемого раствора, превышают достигаемые по прототипу. Так, они имеют толщину 0,08-0,12 мкм,характеризуются равномерностью, хорошей адгезией к подложке, плотной упаковкой зерен и их малыми (десятки нанометров) размерами, способностью к пайке, ультразвуковой сварке (что свидетельствует о чистоте золота), хорошей защитной способностью...

Номер патента: 9940

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Зверковска Эльжбета, Ахматович Селим, Якубовска Малгожата, Шишонок Елена Михайловна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C04B 35/583, C04B 35/58

Метки: теплопроводностью, высокой, диэлектрических, толстых, пленок, изготовления, состав

Текст:

...стеклянной связки может быть использовано литий - висмут- боросиликатное стекло, содержащее 5, в количестве не более 15 от массы смеси стеклянной связки с микропорошком. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании кубического нитрида бора в качестве функционального материала в смеси со стеклянной связкой для получения диэлектрических толстых пленок достигается их максимальная теплопроводность(250-300 /) за счет...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: основе, очистки, поверхности, состав, пленок, алюминия, химической

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Номер патента: 8787

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Хомченко Александр Васильевич, Пехтерев Александр Владимирович, Костюченко Дмитрий Николаевич, Сотский Борис Александрович, Примак Игорь Ульянович, Глазунов Евгений Валерьевич, Лебединский Юрий Анатольевич, Романенко Алексей Андреевич

МПК: G01B 11/06, G01N 21/01, G01N 21/55...

Метки: осуществления, способ, определения, параметров, оптических, пленок, устройство, тонких

Текст:

...пр. Откуда находят показатель преломления п и коэффициент поглощения 1 пленки (п п 11), при этом бп / п 0,02, б 1/1 0,0113.Недостатком известного устройства является то, что измерения связаны с проведением дополнительных измерений на различных призмах. Нахождение угла уо при определенной величине зазора между призмой и пленкой (1 также вызывает затруднения, т.к. необходимо вести сканирование по углу у и в то же время измерять...

Номер патента: U 2901

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Галяс Анатолий Иванович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: B65B 1/00

Метки: пленок, порционной, методу, установке, устройство, вспышки, подачи, вакуумного, напыления, порошка

Текст:

...использования емкости с порошком, закрепленной на одном стержне с вибратором и потому находящейся в непрерывном колебательном движении, в устройстве предложено использовать неподвижно закрепленную емкость с порошком и отдельный механизм ее встряхивания, содержащий электромагнитное реле и толкатель, прикрепленный к якорю реле. В момент срабатывания якорь реле опускается на катушки, рывком движет за собой толкатель, толкатель ударяет по...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: пленок, растворов, zn2-2xcuxinxiv2, способ, получения, твердых

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Шершнев Алексей Евгеньевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, установка, алмазоподобных, получения

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Морозов Владимир Петрович, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Алексей Евгеньевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, получения, алмазоподобных, установка

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Пинаева Маргарита Михайловна, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 21/316

Метки: формирования, пленок, диэлектрических, способ

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Номер патента: 6143

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Каморников Игорь Михайлович, Малащенко Алексей Терентьевич, Пиун Виктор Михайлович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: узел, пленок, нанесения, ионно-плазменного, катодный

Текст:

...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Авраменко Владимир Борисович, Кузмицкий Антон Михайлович, Минько Леонид Яковлевич

МПК: H05H 1/00

Метки: тонких, нанесения, пленок, устройство

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич

МПК: H01L 31/18

Метки: получения, или, cugase2, пленок, cuinse2, способ, тонких, халькопиритных

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Старовойтов Александр Семенович, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Евгений Борисович, Федосенко Николай Николаевич, Шолох Владимир Федорович, Зайцев Валентин Алексеевич

МПК: C23C 14/28

Метки: способ, пленок, углеродных, алмазоподобных, получения

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Петров Николай Петрович, Болдышева Ирина Петровна

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: тонких, высокотемпературных, создания, способ, пленок, конфигурации, сверхпроводников

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Шевченок Александр Аркадьевич, Полынкова Елена Владимировна, Гулай Анатолий Владимирович, Колешко Владимир Михайлович

МПК: C23C 14/34, H01J 37/34, H01J 37/32...

Метки: распыляемых, тонких, способ, осаждения, мишеней, получения, пленок

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Морозов Владимир Петрович, Шершнев Евгений Борисович, Зайцев Валентин Алексеевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Федосенко Николай Николаевич, Старовойтов Александр Семенович

МПК: C23C 14/28

Метки: установка, получения, алмазоподобных, пленок

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Буслов Игорь Иванович, Смагин Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, пленок, стекла, осаждения, фосфоросиликатного

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Номер патента: 2509

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Фигурин Кирилл Борисович, Вершина Алексей Константинович, Фигурин Борис Леонидович, Береснев Александр Николаевич

МПК: C23C 14/36

Метки: получения, пленок, магнитных, вакууме, способ

Текст:

...субструктуры кристаллов вызывает появление магнитного момента (разворота) 2509 1 кристаллов в направлении легкого намагничивания. Оптимизация ориентирующего магнитного воздействия по отношению к процессу кристаллизации нейтрализует негативное влияние внутреннего трения и обеспечивает технический результат. Напыленный материал конденсируется на подложку в аморфном (некристаллическом) состоянии на требуемую толщину. По окончании процесса...