Становский Владимир Владимирович
Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур
Номер патента: 14870
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Довнар Николай Александрович, Кривчик Петр Петрович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович
МПК: C30B 25/20, H01L 21/36
Метки: эпитаксиальных, способ, изготовления, структур, кремниевых
Текст:
...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...
Способ изготовления фотодиода
Номер патента: 15054
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сивец Василий Иосифович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович, Становский Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 27/14, H01L 31/00
Метки: изготовления, способ, фотодиода
Текст:
...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 14380
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевые, диффузии, полупроводниковых, пластины, способ, силовых, изготовления, приборов, акцепторных, примесей
Текст:
...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...
Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 8991
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: C23C 16/40, C23C 16/455, H01L 21/316...
Метки: способ, пленки, фосфоросиликатного, осаждения, стекла
Текст:
...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...