Дудар Наталия Леонидовна
Высоковольтный МОП-транзистор
Номер патента: 18093
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/772
Метки: высоковольтный, моп-транзистор
Текст:
...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/06
Метки: истоком, высоковольтный, транзистор, моп, изолированным
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...
МОП-транзистор со встроенным каналом
Номер патента: 11992
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 29/00
Метки: встроенным, каналом, моп-транзистор
Текст:
...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...