Патенты с меткой «полуизолирующего»
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02, B05D 5/12, C23C 16/455...
Метки: способ, полуизолирующего, пленки, поликристаллического, осаждения, кремния
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...