Патенты с меткой «фотодиода»

Номер патента: 15846

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Зеневич Андрей Олегович, Гулаков Иван Романович, Тимофеев Александр Михайлович

МПК: G01J 1/00

Метки: счета, определения, способ, лавинного, режиме, мертвого, фотодиода, фотонов, времени, работающего

Текст:

...В момент возникновения пробоя ток, протекающий через ЛФД, резко увеличивается. Одновременно с этим увеличивается падение напряжения на нагрузочном резисторе, что приводит к уменьшению напряжения на ЛФД и гашению пробоя. При этом на нагрузочном резисторе формируется одноквантовый импульс напряжения. Такой импульс соответствует одному термогенерированному носителю заряда или одному носителю заряда, образованному при поглощении...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: способ, фотодиода, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: 12708

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Зеневич Андрей Олегович, Гулаков Иван Романович

МПК: G01J 1/44

Метки: базе, регистрации, фотодиода, фотонов, лавинного, устройство, одиночных

Текст:

...дискриминатора, выход первого амплитудного дискриминатора подключен к частотомеру, дополнительно содержит второй амплитудный дискриминатор, два логических элемента И, два счетчика импульсов,сдвиговый регистр, цифроаналоговый преобразователь, линию задержки, генератор импульсов, резистор нагрузки, причем один вывод резистора соединен с корпусом устройства, другой подключен к лавинному фотодиоду и к входу усилителя, выход усилителя...

Номер патента: 10877

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 31/10

Метки: способ, фотодиода, изготовления

Текст:

...Первый этап включает химическое травление через маску из фоторезиста эпитаксиальных слоев широкозонного полупроводника р -типа итипа. Причем необходимо углубиться в узкозонный слой полупроводникатипа на глубину 0,1-0,4 микрона для гарантированного удаления слоя широкозонного полупроводникатипа. Наиболее приемлемым вариантом было бы травление ровно до границы раздела узкозонный полупроводниктипа - широкозонный полупроводниктипа. В...

Номер патента: 10468

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Новиков Евгений Владимирович, Зеневич Андрей Олегович, Гулаков Иван Романович

МПК: G01J 1/44

Метки: лавинного, фотодиода, базе, счетчик, фотонов

Текст:

...этих транзисторов и катодом лавинного фотодиода, третий, четвертый и пятый резисторы соединены последовательно друг с другом, причем первый вывод третьего резистора, являющийся первым выводом этой последовательной цепочки, соединен с выходом источника питания, а второй вывод пятого резистора, являющийся вторым выводом этой последовательной цепочки, - с корпусом устройства, эмиттер первого транзистора подключен в точку соединения...