Патенты с меткой «высокоомного»
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01L 21/8238, H01C 7/00, H01C 1/00...
Метки: способ, схемы, резистора, полупроводникового, высокоомного, интегральной, кмоп, изготовления
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...
Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора
Номер патента: 11704
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 29/00...
Метки: поликремниевого, способ, изготовления, резистора, высокоомного
Текст:
...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...