Патенты с меткой «резистор»
Резистор для ограничения тока в импульсном режиме
Номер патента: 16016
Опубликовано: 30.06.2012
Автор: Говор Геннадий Антонович
МПК: H01C 17/00
Метки: импульсном, резистор, ограничения, тока, режиме
Текст:
...материала для разных капсулирующих составов, на фиг. 3 - сравнительные размеры предложенного резистора из композиционного материала в сравнении с известным проволочным резистором. Композиционный материал выполнен из спрессованного и спеченного порошка железа, частицы которого покрыты оксидами алюминия и карбида железа. На фиг. 1 показан резистор из композиционного материала, состоящий из объемного тела 1 и выводов 2. Температурная...
Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 11811
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 49/02, H01L 29/00
Метки: интегральный, резистор, тонкопленочный, микросхемы, интегральной, кремниевой
Текст:
...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...
Высокоомный поликремниевый резистор
Номер патента: 11703
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Дударь Наталья Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Котов Владимир Семенович, Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 29/00...
Метки: резистор, высокоомный, поликремниевый
Текст:
...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...