C30B 33/00 — Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: gaas-элемента, способ, термочувствительного, создания

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Кулешов Николай Васильевич, Щербицкий Виктор Георгиевич, Левченко Владимир Иванович, Кисель Виктор Эдвардович, Сорокина Ирина Тиграновна

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 33/00...

Метки: цинка, кристаллов, легирования, селенида, хромом, способ

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...