Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович

МПК: C23C 14/08, C23C 14/28, H01G 7/06...

Метки: конденсаторных, тонких, получения, структур, пленок, способ

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Номер патента: 18169

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Каланда Николай Александрович, Демьянов Сергей Евгеньевич

МПК: C23C 14/00, C04B 35/495, C04B 35/40...

Метки: напыления, мишени, структур, магниточувствительных, способ, получения

Текст:

...3 и карбоната стронция 3, взятых в стехиометрическом соотношении и смешанных с ацетоном до получения гомогенной смеси с последующим ее отжигом при высокой температуре в восстановительной среде. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве исходных реагентов используют соединения 1,60,42,5 и 3, которые затем смешивают в стехиометрическом соотношении, добавляя пластификатор - парафин - в пропорции 110, прессуют и отжигают при...

Номер патента: U 9334

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Каленкович Евгений Николаевич, Малевич Игорь Юрьевич

МПК: G01R 27/00

Метки: динамического, параметров, оценки, диапазона, высокочастотных, устройство, транзисторных, структур

Текст:

...является способ согласования транзисторов и составных транзисторных структур с измерительным трактом. Сущность полезной модели устройства для оценки параметров динамического диапазона, состоящего из соединительных высокочастотных разъемов, цепей питания по постоянному току, цепей местной отрицательной обратной связи, исследуемого активного усилительного элемента, заключается в отличии способа согласования исследуемого активного элемента с...

Номер патента: U 8939

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Салмина Анастасия Владимировна, Салмин Роман Михайлович, Жук Игорь Георгиевич

МПК: A61B 17/00, B29C 31/00

Метки: изготовления, симметрии, геля, полимерного, структур, устройство, цилиндрической

Текст:

...шляпкой на свободном конце и с заостренным нагрузочным концом, соединенным с пружиной для присоединения электродвигателя, напротив формовочного вала располагаются четыре тонкие силиконовые трубочки для дозированной подачи полимерного геля, закрепленные на сглаживающей пластине при помощи металлических скоб так, чтобы расстояние между трубочками и зазор между их концами и формовочным валом были равны их просвету, в верхней части камеры имеется...

Номер патента: 15864

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Чуканов Алексей Николаевич

МПК: A61B 8/00

Метки: способ, человека, плода, исследования, сердца, структур, ультразвукового

Текст:

...предлагаемого изобретения является визуализация сердца плода при любом его расположении. Поставленная задача решается следующим образом предложен способ ультразвукового исследования структур сердца плода человека при расположении плода позвоночником вплотную к передней брюшной стенке беременной, заключающийся в том, что осуществляют визуализацию структур сердца плода, устанавливая конвексный датчик на промежность беременной. На фиг. 1...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: радиационной, изготовлении, полупроводниковых, обработки, структур, быстродействующих, способ, приборов, приборных

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15472

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: 001, кремниевых, структур, способ, изготовления, эпитаксиальных, ориентации

Текст:

...пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена...

Номер патента: 15471

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: структур, способ, эпитаксиальных, изготовления, 001, ориентации, кремниевых

Текст:

...дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. 15471 1 2012.02.28 С каждым новым этапом формирования элементов возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Становский Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Кривчик Петр Петрович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: эпитаксиальных, способ, кремниевых, изготовления, структур

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: эпитаксиальных, 111, структур, ориентации, кремниевых, способ, изготовления

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Беляева Ада Казимировна, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01S 3/04, H01L 33/00, H01L 21/02...

Метки: способ, изготовления, диодных, структур, теплоотводящего, лазерных, основания, алмазного

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/00

Метки: радиационной, стойкости, кремниевых, повышения, биполярных, структур, способ

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Щемелев Максим Анатольевич, Беляева Ада Каземировна, Шишенок Николай Александрович, Пожидаев Александр Викторович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Кабанов Владимир Викторович, Леончик Сергей Викентьевич, Микаелян Геворк Татевосович, Паращук Валентин Владимирович, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Титовец Сергей Николаевич, Рябцев Геннадий Иванович, Шишенок Елена Михайловна, Жиздюк Татьяна Борисовна, Соколов Сергей Николаевич, Красковский Андрей Сергеевич

МПК: H01L 33/00, H01S 5/00

Метки: основании, лазерных, бора, нитрида, сборки, теплоотводящем, керамики, структур, способ

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковки, структур, полупроводниковых, способ, кремниевых, диодных

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: U 4530

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/00

Метки: устройство, типа, периодических, пропускающего, элементов, интерферометрического, структур, контроля

Текст:

...и эталонного элементов, определяемое вдоль направления сдвига интерферирующих пучков, равно величине бокового сдвига между интерферирующими пучками. Технический результат, достигаемый в полезной модели, - повышение светосилы устройства за счет исключения при получении интерференционной картины пучков, испытавших двойную дифракцию. Данный технический результат способствует улучшению технических характеристик устройства...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гуринович Валентина Артемовна, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, структур, термообработки, кремниевых

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 8924

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ярмолицкий Вячеслав Феликсович, Конойко Алексей Иванович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, периодических, изготовления, структур

Текст:

...фокусном расстоянии выходной линзы от регистрирующего материала, дополнительно содержит между лазерным источником излучения и коллиматором амплитудный модулятор, между входной и выходной линзами второй системы Кеплера, в передней фокальной плоскости выходной линзы - управляемую двумерную светомодулирующую структуру,объектив, в передней фокальной плоскости которого установлен регистрирующий материал, а в задней - двумерная фотоприемная...

Номер патента: 8789

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: ПАВАН Федерико, РАТТИ Джузеппина

МПК: C25D 3/56, B29B 15/14

Метки: армирующих, вулканизованного, осаждения, поверхностью, способ, изделие(варианты, структура, структур, изделий, электролитического, обработанной, армирующая, изготовленных, компонент, эластомерного, сплава, металлический, материала

Текст:

...покрытие на стальной компонент из металла или из металлического сплава для того, чтобы создать для стали коррозионную стойкость и обеспечить хорошую адгезию к вулканизованному эластомерному материалу.Более того, при том условии, что уже имеется нанесенное покрытие, упомянутая стальная проволока подвергается процессу вытяжки, который проводится несколько раз до тех пор, пока не будут достигнуты требуемые размеры проволоки. Покрытие на...

Номер патента: 8450

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Гончаренко Игорь Андреевич, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: структур, изготовления, периодических, устройство

Текст:

...факторов вибраций, дифракционных шумов и случайного изменения оптической разности хода. Техническая задача решается тем, что в устройство для изготовления периодических структур, содержащее оптически связанные лазер, частотосдвигающий модулятор, а также подвижный в перпендикулярном направлении относительно записываемых штрихов периодической структуры регистрирующий материал, введены установленный на выходе лазера волоконно-оптический...

Номер патента: 8175

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: СКАРИ, Марко, СКАРИ, Диего

МПК: H05K 1/03, D03D 15/00, D03D 1/00...

Метки: текстильная, электроники, электротехники, оптимизации, включая, стабильности, структур, слоистых, ткань, композиционных, изделия, армирующая, размеров

Текст:

...спиралевидную (эликоидальную) форму. Таким образом, при каждой температурной нагрузке нить ведет себя подобно пружине, когда нагрев при высоких температурах вь 1 зь 1 вает удлинение, а охлаждение вызывает сжатие. Теперь, если каждая нить имеет одинаковое направление кручения, эти температурные нагрузки будут вызывать скручивание всей слоистой композиционной структуры. Однако, поскольку удлинение вследствие нагрева и сжатие вследствие...

Номер патента: 7679

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02F 1/21, G02B 27/42

Метки: устройство, изготовления, структур, периодических

Текст:

...поясняется на фигуре, где 1 - лазер 2 - поляризационный модулятор 3 - фазовый элемент /4 4 - телескопический расширитель пучка 5 - поляризационный светоделитель 6 - сигнальный канал 7 - опорный канал 8, 11- плоские зеркала 9 - частотосдвигающий модулятор 10 - анализатор поляризации 12 - светоделитель 13 - регистрирующий материал 14 - измеритель скорости движения интерференционных полос 15 - устройство перемещения регистрирующего...

Номер патента: 7333

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Ярмолицкий Вячеслав Феликсович, Пилипович Владимир Антонович, Конойко Алексей Иванович

МПК: G02B 27/42

Метки: изготовления, периодических, устройство, структур

Текст:

...при помощи электрооптики. 2 7333 1 2005.09.30 Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, где 1 - лазерный источник когерентного излучения 2 - поляризационный модулятор 3 - телескопический коллиматор светового пучка 4 - поляризационный светоделитель 5 - частотосдвигающий модулятор 6 - первое плоское зеркало 7 - первый фокусирующий объектив 8 - второе плоское зеркало 9 - двухкоординатный угловой дефлектор 10 - второй фокусирующий объектив 11...

Номер патента: 7120

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Бирюков Борис Александрович, Ежов Виктор Васильевич, Лашук Александр Григорьевич, Сосновский Александр Алесандрович

МПК: D07B 3/00

Метки: витых, кручения, структур, деформатор

Текст:

...подкрутку (открутку) витой структуры за счет качения в поперечном направлении по поверхности ручьев роликов, оси которь 1 х повернуть 1 в плоскости их вращения так, что последняя составляет некоторый угол с продольной осью витой структурь 1. Величина угла поворота плоскости вращения роликов контролирует степень подкрутки витой структурь 1, чем достигается увеличение точности процесса по параметру остаточного кручения готового витого...

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: геттером, полупроводниковых, структур, способ, изготовления, кремниевых

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Номер патента: 6334

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Михайлов Анатолий Николаевич, Герман Валерий Матвеевич, Жук Елена Георгиевна, Черненко Александр Николаевич

МПК: A61B 6/00

Метки: кишки, рентгенологических, толстой, морфологических, способ, стенки, структур, данным, нарушений, поверхностных, исследований, определения

Текст:

...количество слизи Анализ крови- умеренный лейкоцитоз. При ректороманоскопии слизистая в ректосигмоидном отделе отечна. в просвете слизь. Ирригоскопия контуры толстой кишки при тугом бариевом заполнении четкие. ровные. гаустры обычной формы. ритмичные. зазубренные в левом отделе. диаметр кишки в левом отделе сужен. кишка плохо расправляется при пальпации и восстанавливает свой просвет. Складки слизистой утолщены. отечным При двойном...

Номер патента: 6333

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Герман Валерий Матвеевич, Михайлов Анатолий Николаевич

МПК: A61B 6/00

Метки: слоев, кишки, способ, диагностики, исследований, морфологических, структур, рентгенологических, глубоких, поражения, стенки, данным, толстой

Текст:

...гаустр деформирована. контур их зазубрен. в отдельных участках гаустры сглажены. плохо дифференЦируются. в левом фланге в проекЦии четвертого сегмента определяется симптом водопроводной трубы. кищка при пальпаЦии болезненна. просвет ее резко сужен. сократимость не определяется При двойном контрастировании складки атрофичны. с измененной направленностью. местами не определяются Просвет кищки резко сужен в третьем и четвертом сегментах Диагноз...

Номер патента: 5738

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Пилипович Владимир Антонович, Поляков Владимир Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, периодических, изготовления, структур

Текст:

...выходной линзы второй телескопической системы Кеплера. Сущность построения предлагаемого устройства для изготовления периодических структур заключается в оригинальном решении вопроса требуемой трансляции интерферирующих световых потоков и пространственной фильтрации паразитных световых пучков. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - лазерный источник излучения 2 - коллиматор 3 - входной световой пучок 4 - эталонная...

Номер патента: 4772

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Поляков Владимир Иванович, Конойко Алексей Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: структур, изготовления, устройство, периодических

Текст:

...плоскостям поляризационного светоделителя и анализатора поляризации,повернутого на угол 90 относительно поляризационного светоделителя. Сущность построения предлагаемого устройства для изготовления периодических структур заключается в оригинальном решении вопроса согласования интенсивностей интерферирующих световых пучков в совокупности с разделением светового пучка на опорный и сигнальный каналы и созданием нестационарного...

Номер патента: 3149

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Виталий Н. Лисоченко, Йоахим Хентце

МПК: G02B 3/00

Метки: оптических, устройство, структур, осуществления, изготовления, плавления, операции, способ

Текст:

...прежде чем осуществить плавление поверхности. Предпочтительным является, если температура нагрева примерно на 50-100 К ниже температуры плавления или размягчения материала основной структуры. Это позволяет, например,выплавлять кварц, с помощью которого можно изготавливать высококачественные линзы и линзовые системы. Металлы, которые находят применение, например, в качестве оптических зеркал, также можно расплавлять с помощью...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Аношин Валерий Михайлович, Захарик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, способ, планаризации, структур

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Номер патента: 1791

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Франтишек Кредатус, Владимир Видерманн, Милан Липтак

МПК: B65H 54/32

Метки: структур, способ, бесконечных, протяжных, намотки

Текст:

...недостатки устра няются при намотке предлагаемым способом бесконечно протяженных структур. особенно вискозных волокон. прядомых. отделываемых. скручиваемых в непрерывном процессе и наматываемых в форме копса таким образом. что при подаче материала на вращающийся цилиндрический или конический патрон и раскладывании материала вдоль патрона перекрещивающимися витками путем сообщения нитеводителю поочередных удлиненных и сокращенных...

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Апанович Леонтий Васильевич, Верниковский Станислав Антонович, Фазлеев Ким Фахруллович

МПК: H01L 21/314

Метки: полупроводниковых, покрытия, пассивирующего, структур, создания, способ

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...