H01L 31/10 — характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы

Номер патента: U 7146

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельяненко Юрий Савельевич, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод

Текст:

...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/10

Метки: планарный, фотодиод, вертикально-освещаемый, лавинный

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Номер патента: 10877

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 31/10

Метки: изготовления, фотодиода, способ

Текст:

...Первый этап включает химическое травление через маску из фоторезиста эпитаксиальных слоев широкозонного полупроводника р -типа итипа. Причем необходимо углубиться в узкозонный слой полупроводникатипа на глубину 0,1-0,4 микрона для гарантированного удаления слоя широкозонного полупроводникатипа. Наиболее приемлемым вариантом было бы травление ровно до границы раздела узкозонный полупроводниктипа - широкозонный полупроводниктипа. В...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич

МПК: H01L 31/10, H01L 31/102

Метки: варианты, фотодиод, основе, перехода, вертикально-освещаемый

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...

Номер патента: 5334

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Хитько Валентин Иванович, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 31/10

Метки: фоторезистивный, ключ

Текст:

...(1-9)1014 см-3, приконтактныйслой- типа - 3, толщиной 0,2 мкм с концентрацией (2-8)1018 см-3 - методом напыления наносятся // слои толщиной 0,1/0,05/0,6 мкм соответственно, являющиеся после проведения процесса взрывной фотолитографии, токоведущей металлической шиной 4, образующей с - приконтактным слоем 3 полупроводниковой пластины после вжигания омический контакт. Далее методами химического или плазмохимического травления удаляется-...

Номер патента: 3033

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Улитенок Олег Анатольевич, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 31/08, H01L 31/10

Метки: мпм-фотодиод

Текст:

...диэлектрическое покрытие 3 встречно-штыревые электроды с количеством штырей от 3 до 3000 шт. 4 воздушный зазор 8 диэлектрическое покрытие 9 металлические выводы 5 падающее оптическое излучение 6 граница раздела диэлектрическое покрытие - поверхностный слой 7. МПМ-фотодиод работает следующим образом. Поступающее на МПМ-фотодиод оптическое излучение 6 проходит просветляющее диэлектрическое покрытие 3, 9 и поверхностно-легированный слой 2...