Пшеничный Евгений Николаевич
Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния
Номер патента: 18138
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич
МПК: C23C 16/30, H01L 21/205, C23C 16/56...
Метки: способ, легированных, фосфором, кремния, пленок, осаждения
Текст:
...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...
Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти
Номер патента: 17081
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Гайдук Петр Иванович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 21/336, H01L 21/44
Метки: памяти, энергонезависимой, формирования, способ, германия, нанокристаллов
Текст:
...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...
Способ осаждения тонких пленок SiGe
Номер патента: 15299
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович
МПК: H01L 21/205, C23C 16/30
Метки: тонких, осаждения, способ, пленок
Текст:
...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...
Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы
Номер патента: 11859
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Сидерко Александр Александрович, Плебанович Владимир Иванович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: B01F 03/04, G05D 23/00, F24H 9/02...
Метки: устройство, вещества, осаждения, жидкого, установки, фазы, газовой, реактор, паров, химического, подачи
Текст:
...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...
Способ получения пленки борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 4154
Опубликовано: 30.12.2001
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Смагин Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/316
Метки: стекла, пленки, получения, способ, борофосфоросиликатного
Текст:
...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...
Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 3924
Опубликовано: 30.06.2001
Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Буслов Игорь Иванович, Смагин Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/316
Метки: способ, фосфоросиликатного, стекла, пленок, осаждения
Текст:
...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...