Патенты с меткой «солнечной»
Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии
Номер патента: 18230
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович
МПК: H01L 31/04
Метки: полупроводниковый, энергии, преобразователь, солнечной
Текст:
...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...
Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии
Номер патента: 18229
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович
МПК: H01L 31/04
Метки: полупроводникового, изготовления, энергии, способ, солнечной, преобразователя
Текст:
...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...
Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии
Номер патента: 18231
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович
МПК: H01L 31/18, H01L 31/04
Метки: энергии, солнечной, полупроводникового, преобразователя, изготовления, способ
Текст:
...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...
Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую
Номер патента: 17720
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович, Пилипович Владимир Антонович, Поликанин Александр Михайлович
МПК: H02N 6/00
Метки: солнечной, преобразования, концентрации, электрическую, устройство, энергии
Текст:
...прозрачную призму с нанесенным на ее первую боковую грань селективным зеркалом, установленную на выходе указанной пластины и непосредственно примыкающую к ней в зоне отсутствия отражающей голографической решетки, первая цилиндрическая линза нанесена на указанное селективное зеркало, а вторая цилиндрическая линза - на вторую боковую грань указанной призмы, противоположную первой грани и оптически связанную с ней, при этом отражающая...
Генератор на солнечной энергии
Номер патента: U 9552
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович
МПК: H01L 31/042
Метки: генератор, энергии, солнечной
Текст:
...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...
Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую
Номер патента: U 8466
Опубликовано: 30.08.2012
Автор: Сычик Василий Андреевич
МПК: H01L 31/04
Метки: энергии, преобразования, солнечной, электрическую, устройство
Текст:
...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...
Преобразователь солнечной энергии в электричество и тепло
Номер патента: 16126
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович
МПК: H02N 6/00, F24J 2/10, F24J 2/14...
Метки: преобразователь, энергии, электричество, тепло, солнечной
Текст:
...полуцилиндрическим, механически и оптически связан со всеми поверхностями, а в его фокусе расположен тепловой коллектор, на внешней поверхности которого сформирована солнечная панель, причем солнечные элементы, закрепленные на опорной конструкции, имеют развитую фоточувствительную поверхность, а боковые треугольные поверхности выполнены прозрачными. Для эффективного решения поставленной технической задачи тепловой коллектор выполнен...
Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 15176
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Денисенко Михаил Фёдорович
МПК: H01L 31/04
Метки: изготовления, способ, электрическую, солнечной, преобразователя, энергии
Текст:
...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...
Преобразователь солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 15175
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич, Леонов Василий Севастьянович, Денисенко Михаил Фёдорович
МПК: H01L 31/04
Метки: энергии, преобразователь, электрическую, солнечной
Текст:
...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...
Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую
Номер патента: U 7509
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Конойко Алексей Иванович, Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович, Залесский Валерий Борисович
МПК: H02N 6/00
Метки: солнечной, устройство, энергии, электрическую, концентрации, преобразования
Текст:
...из голографического элемента 1, прилегающего к входной грани плоской прозрачной пластины 2 и образованного примыкающими друг к другу первой 3 и второй 4 пропускающими голографическими решетками, непосредственно к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 прилегают первая 5, вторая 7 отражающие голографические решетки и двойная пропускающая голографическая решетка 6 между ними, вход набора селективных цилиндрических линз Френеля 8...
Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую
Номер патента: 14363
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович, Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович
МПК: H02N 6/00
Метки: концентрации, солнечной, электрическую, преобразования, энергии, устройство
Текст:
...решетки 5, непосредственно прилегающей к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 и последовательно оптически связанной через набор селективных цилиндрических линз Френеля 6 с блоком селективных линейных фотопреобразователей 7, причем длина каждого селективного линейного фотопреобразователя больше длины соответствующей селективной цилиндрической линзы Френеля на величину определяемую углом ее поля зрения, а ширина двойной гологра 2 14363 1...
Преобразователь солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 13915
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/00, H02N 6/00
Метки: электрическую, энергии, преобразователь, солнечной
Текст:
...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...
Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии в холод
Номер патента: U 5481
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович
МПК: H01L 35/00
Метки: холод, полупроводниковый, солнечной, энергии, преобразователь
Текст:
...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...
Полупроводниковый датчик солнечной энергии
Номер патента: U 5383
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич
МПК: H01L 31/04
Метки: полупроводниковый, солнечной, датчик, энергии
Текст:
...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...
Устройство для регистрации прямой солнечной радиации
Номер патента: U 4598
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Стрибук Петр Васильевич, Кривонощенко Владимир Иванович, Казеев Юрий Иванович
Метки: устройство, прямой, солнечной, регистрации, радиации
Текст:
...3 соединены со входом электронного блока 4, выход которого электрически связан со входом табло 5. 2 45982008.08.30 Электронный блок 4 включает в себя плату питания, плату измерителя и плату индикации. Плата питания содержит трансформатор 36/12, выпрямитель, стабилизатор 5 и схему защиты модема и интерфейса 485. Плата измерителя содержит аналогоцифровой преобразователь, источник опорного напряжения, микроконтроллер, термостат до 25 С, модем и...
Комплекс для преобразования солнечной энергии в тепловую
Номер патента: 9611
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Смарж Иван Ильич, Сычев Михаил Парфенович, Щукин Георгий Лукич, Воронков Алексей Алексеевич, Марченко Владимир Романович, Сидоренко Юрий Петрович, Севастьянов Владимир Петрович, Чепасов Александр Александрович, Филипенко Евгений Семенович, Чабанов Алим Иванович, Баженов Андрей Николаевич, Жигайло Виктор Никифорович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Соболев Валериан Маркович, Соловьев Александр Алексеевич, Городов Михаил Иванович, Чабанов Владислав Алимович, Матасов Рев Александрович, Ерохов Николай Михайлович
Метки: энергии, тепловую, комплекс, солнечной, преобразования
Текст:
...улучшит качество зеркальной поверхности в области наиболее высокой плотности потока солнечных лучей. Сами геометрические формы встроенных концентраторов и проводников солнечных лучей могут выполняться как из черного или цветного металла, так и из стекла, пластмасс или композитных материалов с покрытием их лучеотражающими поверхностями. Предусматривается также, что внутренняя среда камеры соединена с предохранительными клапанами. В...
Способ преобразования солнечной энергии в электрическую
Номер патента: 9610
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Матасов Рев Александрович, Чабанова Владислав Алимович, Филипенко Евгений Семенович, Баженов Андрей Николаевич, Сычев Михаил Парфенович, Ерохов Николай Михайлович, Чабанов Алим Иванович, Головченко Александр Иванович, Королев Владислав Михайлович, Щукин Георгий Лукич, Смарж Иван Ильич, Мартынов Владимир Георгиевич, Сидоренко Юрий Петрович, Андрианов Иван Тимофеевич, Соболев Валериан Маркович, Бакаев Фарид Анварович
Метки: энергии, преобразования, солнечной, способ, электрическую
Текст:
...же атмосферный ветер угрожающе нарастает по своей скорости и давлению, то управляемая гибкая надстройка либо опускается вниз частично или полностью, либо ее ветронагруженная боковая поверхность уменьшается другими средствами управления, при этом такое увеличение скорости ветра обеспечивает и возможность, в то же время, поддерживать выработку электроэнергии на необходимом уровне. Высокодинамичное вращательно-поступательное движение воздушного...
Преобразователь солнечной энергии
Номер патента: 9069
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Василий Андреевич, Сычик Андрей Васильевич
МПК: H01L 31/06, H01L 31/04, H01L 31/0352...
Метки: энергии, преобразователь, солнечной
Текст:
...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...
Способ преобразования солнечной энергии в механическую
Номер патента: 9005
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Королев Владислав Михайлович, Севастьянов Владимир Петрович, Воронков Алексей Алексеевич, Бакаев Фарид Анварович, Филипенко Евгений Семенович, Ерохов Николай Михайлович, Отмахов Леонид Федорович, Сидоренко Юрий Петрович, Чепасов Александр Александрович, Чабанов Владислав Алимович, Смарж Иван Ильич, Щукин Георгий Лукич, Сычев Михаил Парфенович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Соболев Валериан Маркович, Гуня Михаил Арсентьевич, Жигайло Виктор Никифорович, Матасов Рев Александрович, Чабанов Алим Иванович, Соловьев Александр Алексеевич
Метки: солнечной, преобразования, энергии, способ, механическую
Текст:
...(см. Не 2698682, опубл. 03.06.94 г.), использующий поглощение солнечных лучей темной поверхностью, нагрев воздуха, контактирующего с темной поверхностью, воздухопроницаемым гелиопогло ВУ 9005 С 1 200741248щающим Материалом, И его дальнейшее направление через ветротурбину. Данное техническое решение в своем конструктивном исполнении более эффективно, Чем предыдущее,в связи с важным применением воздухопроницаемого гелиопоглощающего...
Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации строительных материалов
Номер патента: 8524
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Захаревич Эдуард Владимирович, Сизов Валерий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович, Захаревич Алексей Эдуардович, Якимович Дмитрий Дмитриевич
МПК: G01N 21/00
Метки: материалов, строительных, определения, поглощения, солнечной, радиации, способ, коэффициента
Текст:
...излучения материала- плотность материала, кг/м Примеры осуществления способа. Пример 1. Определяют коэффициент поглощения солнечной радиации дубовой строганной доски при температуре Т 293 К. Известным экспериментальным способом (с помощью компьютерного термографа ИРТИС-200) находят коэффициент излучения 0,90. Далее известным экспериментальным способом (нестационарным методом с помощью прибора ИТ-) определяют коэффициент...
Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей
Номер патента: 8523
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Сизов Валерий Дмитриевич, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович, Захаревич Алексей Эдуардович, Захаревич Эдуард Владимирович
МПК: G01N 21/00
Метки: определения, радиации, коэффициента, солнечной, полированных, сталей, поглощения, способ
Текст:
...задача решается тем, что в способе определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей, включающем определение коэффициента излучения материала, дополнительно определяют коэффициент теплопроводности, а коэффициент поглощения солнечной радиации Р материала при температуре поверхности материала Т 27340 К определяют по формуле Р(1,29610-22,567),где Р - коэффициент поглощения солнечной радиации материала- коэффициент...
Композиция для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии
Номер патента: 5569
Опубликовано: 30.09.2003
Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Мартинкевич Александр Александрович, Прокопчук Николай Романович
МПК: C08L 79/08
Метки: концентратора, солнечной, композиция, поверхности, формирования, энергии, отражающей
Текст:
...отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, обладающей улучшенными оптическими и механическими характеристиками. Поставленная задача решается заявляемой композицией для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, содержащей раствор полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилоксида в диметилформамиде (ДМФА), в которую дополнительно введен меламиноформальдегидный олигомер при...