Патенты с меткой «диффузии»
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 14380
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: пластины, кремниевые, примесей, полупроводниковых, акцепторных, диффузии, изготовления, силовых, способ, приборов
Текст:
...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...
Способ определения коэффициента диффузии Cr в ZnSe
Номер патента: 13546
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна
МПК: G01N 13/00
Метки: определения, диффузии, коэффициента, способ
Текст:
...слоя измеряют оптическую плотность пластины А и определяют коэффициент диффузиииз выражения 2 где 0 - поверхностная концентрация- координата вдоль направления диффузии- время процесса отжига,и затем определяют искомый коэффициент диффузиив соответствии с выражением. Новым, по мнению авторов, является то, что процесс отжига происходит в течение 6 ч при температуре 10431,0 С, толщина удаляемого слоя составляет 6020 мкм, процедуруопределяют...
Пленкообразующая композиция для диффузии алюминия в кремний
Номер патента: 12893
Опубликовано: 28.02.2010
Авторы: Мойсейчук Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Бересневич Людмила Брониславовна
МПК: H01L 21/02
Метки: пленкообразующая, композиция, кремний, диффузии, алюминия
Текст:
...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 10881
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кресло Сергей Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: примесей, диффузии, силовых, приборов, способ, пластины, полупроводниковых, изготовления, акцепторных, кремниевые
Текст:
...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...
Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Номер патента: 10529
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/02
Метки: твердых, диффузии, изготовлении, приборов, бора, способ, микросхем, источников, интегральных, полупроводниковых
Текст:
...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...
Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов
Номер патента: 9818
Опубликовано: 30.10.2007
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, планарный, приборов, диффузии, полупроводниковых, схем, бора, источник, твердый, интегральных
Текст:
...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...