C30B 29/10 — неорганические соединения или композиции

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 29/10, C30B 23/00, C01B 25/08...

Метки: тетрагональной, монокристаллов, прочности, способ, модификации, дифосфида, повышенной, оптической, кадмия, получения

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Изотов Александр Дмитриевич, Трухан Владимир Михайлович, Малышев Максим Леонидович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C01G 45/00, C30B 21/02, C30B 29/10...

Метки: способ, монокристаллического, марганца, получения, антимонида

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Номер патента: 17946

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Мосунов Евгений Игоревич, Якунин Александр Сергеевич, Абдуллаев Олег Рауфович, Шишонок Елена Михайловна

МПК: C09K 11/77, C01B 21/064, C09K 11/63...

Метки: бора, нитрида, материал, кубического, основе

Текст:

.... Фотолюминесцентный (ФЛ) анализ микропорошковпоказал наличие зеленой ФЛ ионов 3, инкорпорированных в кристаллическую решетку , интенсивность которой увеличивалась с увеличением концентрацииот 0,05 до 0,1 ат. . Травление микропорошков в кипящей кислоте в течение 1 ч с последующей промывкой в дистиллированной воде не показало изменения структуры спектров ФЛ и изменения ее интенсивности при возбуждении лазерным излучением с 325 нм....

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...

Метки: полупроводниковых, кремния, формирования, бинарных, пленок, групп, aіvbvі, соединений, aііbvі, монокристаллического, или, подложках, способ

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: 16493

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Говор Геннадий Антонович, Рыжковский Владимир Михайлович

МПК: H01F 1/01, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: основе, материал, арсенида, монокристаллов, марганца, рефрижераторов, магнитных

Текст:

...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...

Номер патента: 16320

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Рыжковский Владимир Михайлович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: C30B 29/10, C01G 45/00, H01F 1/01...

Метки: материал, магнитный

Текст:

...структуру типа 8 с более высокой температурой магнитного фазового перехода по сравнению с материалом-прототипом. Пример. Получение магнитного материала 1,10,10,9. Замещение сурьмы кремнием в исходном материале проводили из расчета формулы 1,10,10,9. Брали исходную смесь порошков ,ив пропорции 1,10,10,9 грамм-моль. Все исходные реактивы (, , ) имели чистоту 99,99 . Синтез материала был проведен по известной схеме получения соединений со...

Номер патента: 16317

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Ткаченко Тамара Михайловна, Рыжковский Владимир Михайлович

МПК: C01G 45/00, C30B 29/10, H01F 1/01...

Метки: антимонида, магнитный, основе, материал, марганца

Текст:

...24 часов) гомогенной смеси исходных компонентов, взятых в заданных весовых соотношениях, в откачанных до 10-3 мм. рт. ст. кварцевых ампулах до температуры сплавления 900-950 С. 2. Сплавление при 900-950 С в течение 4 часов. 3. Охлаждение в течение нескольких часов от 950 С до 840-860 С (температура образования в системе фазы типа 8). 4. Отжиг при 840-860 С в течение 24 часов. Закалка от отж в воду со льдом. Все исходные реактивы (, , )...

Номер патента: 15704

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Игнатенко Олег Владимирович, Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна

МПК: B01J 3/06, C01B 21/064, C01B 31/06...

Метки: получения, материала, сверхтвердого, способ

Текст:

...мелкозернистой микроструктурой, обладающий повышенными физико-механическими свойствами. Этому же способствует присутствие дисперсноупрочняющей фазы частиц алмаза в композитах на основе кубического нитрида бора при преимущественном содержании в исходной шихте гексагонального нитрида бора или частиц кубического нитрида бора в композитах на основе алмаза при преимущественном содержании в исходной шихте графита. Предлагаемый способ позволяет...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: полупроводникового, материала, получения, способ, магнитного

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 29/10, H01F 1/40, C01B 25/08...

Метки: полупроводникового, магнитного, материала, получения, способ

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/10, C30B 23/06, C01G 28/00...

Метки: основе, получения, гетероструктуры, способ, полупроводниковых, материалов

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: тонких, пленок, получения, сульфоселенида, олова, способ

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Бычков Георгий Леонидович, Барило Сергей Николаевич, Ширяев Сергей Витальевич

МПК: C30B 17/00, C30B 9/00, C30B 29/10...

Метки: монокристаллов, lamno3+, выращивания, способ, манганита, лантана

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Номер патента: 14218

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович

МПК: C30B 29/10, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: соединения, основе, термостабильного, висмута, получения, перовскита, структурой, шихта, феррита

Текст:

...основе оксидов висмута, магния и ниобия. При введении в шихту, состоящую из оксидов висмута и железа, дополнительно оксидов магния и ниобия в соотношении, соответствующем формуле (2/31/3)3, выше предела растворимости (2/31/3)3 в перовскитной кристаллической решетке феррита висмута в конечном продукте образуются дополнительные фазы на основе висмута магния и ниобия с флюоритоподобной кристаллической структурой (или) со структурой пирохлора....

Номер патента: 13989

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Григорьев Сергей Владимирович, Жук Андрей Евгеньевич, Гордеев Сергей Константинович, Ковалевская Анна Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич, Корчагина Светлана Борисовна

МПК: B82B 3/00, C30B 29/10, B22F 3/08...

Метки: способ, поликристаллического, получения, изделия

Текст:

...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...

Номер патента: 14073

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C30B 29/10, C04B 35/583, C04B 35/528...

Метки: сверхтвердого, шихта, получения, поликристаллического, материала, композиционного

Текст:

...карбид бора инициируют превращение графита в алмаз. Образующиеся в межзеренном пространстве алмаз и кубический нитрид бора связывают отдельные зерна между собой, образуя жесткий каркас,пустоты в котором заполнены продуктами взаимодействия - , , 4. При отклонении от указанных в формуле соотношений компонент шихты поставленная задача не достигается. При содержании в шихте графита и/или ГНБ менее 2 мас.снижается прочность поликристаллов ввиду...

Номер патента: 13986

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Лобановский Леонид Сергеевич, Труханов Сергей Валентинович

МПК: C30B 29/10, C04B 35/26

Метки: феррита, поликристаллического, кальция, способ, получения

Текст:

...железа и карбоната кальция для получения прекурсора 225 рассчитывают согласно следующей химической формуле 232322522.(1) Помол исходных компонентов проводят до получения гомогенного состояния с размером частиц не более 40 мкм. Синтез шихты проводят при температуре 900-950 С в течение 6-8 часов в воздушной среде. Скорость нагрева и охлаждения исходных компонентов до и после синтеза значения не имеет. Полученный таким образом прекурсор 225...

Номер патента: 13391

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: H01F 1/40, C30B 29/10

Метки: материала, получения, полупроводникового, магнитного, способ

Текст:

...температур (650-660) С, выдерживают температуру 0,5-1 ч, затем в течение 1,50,5 ч повышают до (930-950) С и проводят вибрационное перемешивание в течение 1,5-2 ч, понижают температуру до (610-620) С с последующими гомогенизирующим отжигом в течение 120 ч и закалкой со скоростью 5-10 град/с. На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа образца состава 0,90,12. На фиг. 2 приведены термограммы твердого раствора 0,900,102 1 - кривая...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Волчик Татьяна Владимировна, Телеш Евгений Владимирович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 9/00

Метки: замещенного, граната, железо-иттриевого, способ, висмут, получения

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Номер патента: 12467

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/10...

Метки: получения, висмута, феррита, способ

Текст:

...(состав 1,740,263). При дальнейшем охлаждении кристаллизация 3 идет без перитектического превращения, хотя и с незначительным отклонением от стехиометрического состава 3. Примеры конкретного применения способа получения феррита висмута. Пример 1 Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для получения феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Гесь Александр Петрович, Телеш Евгений Владимирович, Волчик Татьяна Владимировна, Климза Алексей Антонович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: висмутзамещенного, получения, граната, пленок, феррита, способ, монокристаллических, железо-иттриевого

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Номер патента: 12406

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: C04B 35/583, B22F 7/02, B01J 3/06...

Метки: пластин, бора, получения, нитрида, кубического, способ

Текст:

...для получения одновременно нескольких изделий за один технологический цикл заготовки разделены прокладками из хлористого натрия, не позволяет максимально использовать полезный объем реакционной камеры, что достигается в предлагаемом способе. Использование для получения пластин монолитных заготовок из пиролитического нитрида бора (ПНБ) позволяет максимально использовать реакционный объем. При этом, как показал опыт, в процессе синтеза...

Номер патента: 12461

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Ширяев Сергей Витальевич, Шестак Анатолий Сергеевич, Бычков Георгий Леонидович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: способ, монокристаллов, где, lnbaco2o5+x, выращивания, eu,gd,tb,dy

Текст:

...шихту из порошков карбоната бария ВаСО 3 и оксида кобальта СО 3 О 4 в соотношении 23. Загруженный алундовый тигель помещают в вертикальную электрическую нагревательную печь, включают нагрев со скоростью 100-150 С/ч, нагревают до температуры 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 12 ч для разложения ВаСО 3. Далее продолжают нагрев с той же скоростью до появления расплава, который определяется визуально по появлению на поверхности...

Номер патента: 12176

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна

МПК: C01B 21/00, C30B 29/10, B01J 3/06...

Метки: сверхтвердого, получения, основе, способ, кубического, бора, нитрида, материала

Текст:

...в шихте алюминия. В случае полного растворения находящегося в шихте алюминия в кубическом нитриде бора, сверхтвердый материал имеет однофазный состав и представляет собой твердый раствор алюминия в кубическом нитриде бора. Атомы алюминия, замещая атомы бора в решетке кубического нитрида бора, искажают его сфалеритоподобную решетку, что ведет к увеличению твердости сверхтвердого материала на основе кубического нитрида бора, а вводимый бор...

Номер патента: 12224

Опубликовано: 30.08.2009

Автор: Шишонок Елена Михайловна

МПК: C09K 11/77, C30B 29/10, B01J 3/06...

Метки: получения, бора, нитрида, обладающего, способ, световой, кубического, эмиссией

Текст:

...быть не могут. Являясь донорными примесями в кристаллической решетке , с валентностью 6,и , например, в случае замещения азота (валентность 5) или бора (валентность 3) обеспечивают материалу электронную проводимость. При фотовозбуждении люминесценция на ионах РзЭ ввозбуждается путем передачи энергии световых квантов электронам -оболочек ионов РзЭ резонансно или через существующие в материале дефектные состояния собственной природы, или...

Номер патента: 12040

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Волчик Татьяна Владимировна, Соболь Валерий Романович

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/10...

Метки: шихта, висмута, феррита, получения

Текст:

...превращения, что и обеспечивает получение образцов феррита висмута гомогенного состава. Примеры конкретного использования шихты для получения феррита висмута. Пример 1. Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для синтеза феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем формуле 2(1-)23 с 0,13 (состав 1,740,263). Навеску, состоящую из оксидов висмута и...

Номер патента: 11882

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Соболь Валерий Романович, Волчик Татьяна Владимировна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C01G 29/00, B22F 3/10, C04B 35/26...

Метки: висмута, способ, получения, феррита

Текст:

...превышающих температуру перехода из моноклинной в гексагональную модификацию 23 (первая стадия), и при температурах, превышающих температуру перехода из гексагональной в кубическую модификацию 23 (вторая стадия). Предложен способ получения чистого феррита висмута следующим образом. Предварительно гомогенизированную смесь исходных оксидов 23 и 23, взятых в стехиометрическом соотношении, располагают в уже выведенную на температурный...

Номер патента: 11644

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 29/10, G02B 5/22, C30B 23/00...

Метки: фильтров, способ, отрезающих, изготовления

Текст:

...кварцевой ампуле и перепаде температуры между зонами испарения и кристаллизации 20-35 С и охлаждают его до комнатной температуры. Способ осуществляется следующим образом. Кристалл твердого раствора 1- с градиентом состава в направлении роста выращивают из паровой фазы из смеси предварительно синтезированных бинарных компонент ( и ) в вакуумированной кварцевой ампуле, в горизонтальной трубчатой печи при температуре кристаллизации 1150-1200...

Номер патента: 11152

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C01G 3/12, C01B 17/00, C01F 7/00...

Метки: синтеза, cual5s8, полупроводникового, соединения, шихта

Текст:

...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...

Номер патента: 11245

Опубликовано: 30.10.2008

Автор: Труханов Сергей Валентинович

МПК: C30B 29/10, B82B 3/00, C01G 45/00...

Метки: лантан-бариевого, способ, манганита, нанокристаллического, синтеза, порошка

Текст:

...выпаривают при 75-150 С до образования геля на основе полиглицерина, и отжигают гель при 250 С в течение 2 ч. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании способа синтеза нанокристаллического порошка лантан-бариевого манганита 0,500,503 достигается однородность химического состава магнитного материала с точкой Кюри в области комнатной температуры вследствие использования глицерина в качестве органической матрицы....

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: C30B 33/00, C30B 29/10, H01L 21/02...

Метки: термочувствительного, способ, gaas-элемента, создания

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Щербицкий Виктор Георгиевич, Кисель Виктор Эдвардович, Сорокина Ирина Тиграновна, Кулешов Николай Васильевич, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00, C30B 29/10...

Метки: цинка, легирования, способ, хромом, селенида, кристаллов

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: полупроводникового, cualte2, шихта, соединения, синтеза

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...