Наливайко Олег Юрьевич
Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния
Номер патента: 18138
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...
Метки: способ, легированных, кремния, фосфором, осаждения, пленок
Текст:
...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...
Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 18136
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 27/04, H01L 21/77
Метки: микросхемы, способ, изготовления, интегральной, кремниевой
Текст:
...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...
Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти
Номер патента: 17081
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Гайдук Петр Иванович, Наливайко Олег Юрьевич, Новиков Андрей Геннадьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 21/44, H01L 21/336
Метки: способ, энергонезависимой, германия, формирования, нанокристаллов, памяти
Текст:
...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...
Способ осаждения тонких пленок SiGe
Номер патента: 15299
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Комаров Фадей Фадеевич, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/205, C23C 16/30
Метки: способ, пленок, тонких, осаждения
Текст:
...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...
Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама
Номер патента: 15149
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Сидерко Александр Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/285, C23C 16/14
Метки: химического, пленок, способ, фазы, газовой, вольфрама, осаждения
Текст:
...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...
Метки: поликристаллического, кремния, пленки, полуизолирующего, способ, осаждения
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...
Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы
Номер патента: 11859
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Плебанович Владимир Иванович, Сидерко Александр Александрович
МПК: F24H 9/02, G05D 23/00, B01F 03/04...
Метки: осаждения, газовой, жидкого, подачи, устройство, реактор, химического, установки, паров, фазы, вещества
Текст:
...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...
Способ получения пленки борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 4154
Опубликовано: 30.12.2001
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Сидерко Александр Александрович, Смагин Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/316
Метки: борофосфоросиликатного, стекла, способ, пленки, получения
Текст:
...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...
Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 3924
Опубликовано: 30.06.2001
Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Буслов Игорь Иванович
МПК: H01L 21/316
Метки: способ, стекла, пленок, осаждения, фосфоросиликатного
Текст:
...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...
Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния
Номер патента: 3148
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич
МПК: H01L 21/308
Метки: кремния, конденсатора, способ, обкладки, поликристаллического, изготовления
Текст:
...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...
Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 2883
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Сосновский Владимир Арестархович, Макаревич Игорь Иванович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/316
Метки: фосфоросиликатного, пленки, осаждения, стекла, способ
Текст:
...существенно снижается концентрация соединений фосфора на выхлопе реактора, что позволяет использовать скруббер без дожигания. В выбранном диапазоне температуры испарителя давление паров диметилфосфита составляет 1.812 мм рт. ст. При температуре испарителя ниже 20 С усложняется управление процессом по концентрации фосфора и не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления паров ДМФ....
Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 2531
Опубликовано: 30.12.1998
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Тихонов Владимир Ильич, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: H01L 21/316
Метки: осаждения, фосфоросиликатного, стекла, способ, пленок
Текст:
...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...
Способ осаждения пленки борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 2502
Опубликовано: 30.12.1998
Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Захарик Сергей Владимирович, Красницкий Василий Яковлевич, Аношин Валерий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/316
Метки: способ, стекла, пленки, осаждения, борофосфоросиликатного
Текст:
...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...
Способ получения пленок фосфоросиликатного стекла
Номер патента: 1612
Опубликовано: 30.03.1997
Авторы: Макаревич Игорь Иванович, Тихонов Владимир Ильич, Буляк Борис Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Сасновский Владимир Арестархович, Кабаков Михаил Михайлович
МПК: H01L 21/316
Метки: пленок, способ, получения, фосфоросиликатного, стекла
Текст:
...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...
Способ осаждения пленки борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 1613
Опубликовано: 30.03.1997
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кабаков Михаил Михайлович, Наливайко Олег Юрьевич, Макаревич Игорь Иванович, Корешков Геннадий Анатольевич
МПК: H01L 21/316
Метки: стекла, осаждения, способ, борофосфоросиликатного, пленки
Текст:
...издержки производства. 1613 1 При температуре испарителя с ТЭОС выше 75 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре реактора ниже 650 С снижается скорость осаждения и повышаются издержки производства, а также ухудшается конформность воспроизведения топологического рельефа. При температуре реактора выше 750 С ухудшается управляемость процесса по толщине и концентрациям фосфора и бора. При температуре испарителя с...