Лепешкевич Геннадий Вольдемарович
Способ осаждения тонких пленок SiGe
Номер патента: 15299
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Комаров Фадей Фадеевич
МПК: C23C 16/30, H01L 21/205
Метки: способ, осаждения, тонких, пленок
Текст:
...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: B05D 5/12, H01L 21/02, C23C 16/455...
Метки: полуизолирующего, пленки, поликристаллического, кремния, способ, осаждения
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...