Патенты с меткой «моп-транзистор»

Номер патента: 18093

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Гетьман Сергей Николаевич

МПК: H01L 29/772

Метки: высоковольтный, моп-транзистор

Текст:

...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 29/00

Метки: каналом, встроенным, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...