H01L 29/00 — Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 21/8238...

Метки: интегральной, способ, изготовления, схемы, полупроводникового, высокоомного, резистора, кмоп

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Номер патента: 13721

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Метки: способ, изолированным, изготовления, биполярных, транзисторов, затвором

Текст:

...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 29/00

Метки: встроенным, каналом, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: кремниевой, интегральный, резистор, интегральной, микросхемы, тонкопленочный

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Котов Владимир Семенович, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Дударь Наталья Леонидовна

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: способ, высокоомного, изготовления, резистора, поликремниевого

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 29/00, H01C 1/00, H01C 7/00...

Метки: высокоомный, поликремниевый, резистор

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/00, H01L 29/66

Метки: шоттки, диод

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...