Савостьянова Наталья Александровна

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: C09K 13/00, H01L 21/306

Метки: относительно, ingaas, травитель, слоев, ingaasp, селективный

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Номер патента: 10877

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиода, изготовления, способ

Текст:

...Первый этап включает химическое травление через маску из фоторезиста эпитаксиальных слоев широкозонного полупроводника р -типа итипа. Причем необходимо углубиться в узкозонный слой полупроводникатипа на глубину 0,1-0,4 микрона для гарантированного удаления слоя широкозонного полупроводникатипа. Наиболее приемлемым вариантом было бы травление ровно до границы раздела узкозонный полупроводниктипа - широкозонный полупроводниктипа. В...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Закроева Нина Михайловна, Корытько Дмитрий Константинович, Лойко Галина Ивановна, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 33/00

Метки: способ, светоизлучающего, диода, изготовления

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...