Керенцев Анатолий Федорович

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Довженко Александр Алексеевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203

Метки: корпуса, герметизации, способ, интегральной, схемы

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: металлизации, обратной, кристалла, формирования, полупроводникового, способ, стороны, прибора

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: прибора, обратной, кристалла, стороны, металлизация, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кремниевого, кристалла, присоединения, полупроводникового, способ, прибора, кристаллодержателю

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C04B 41/51

Метки: способ, изоляторов, металлизации, алюмооксидных, керамических

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Зубович Анатолий Николаевич

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, прибора, способ, полупроводникового, мощного

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Добриян Татьяна Сергеевна

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: металлизации, изоляторов, алюмооксидных, керамических, способ

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Номер патента: 12549

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Козюк Викентий Геннадьевич, Добриян Татьяна Сергеевна

МПК: C04B 41/88

Метки: алюмооксидной, металлизационной, состав, получения, пасты, керамики

Текст:

...металлизационной пасты более 20,0 мас. , молибдена менее 79,0 мас. , борида молибдена более 1,0 мас.происходит избыточное образование стеклофазы, приводящее к тому, что межзеренное пространство молибденовой металлизации заполняется диэлектрической средой, обеспечивая высокую адгезионную прочность сцепления металлизации с керамикой. Однако при этом диэлектрическая среда снижает электропроводность металлизированного слоя и затрудняет...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Осипов Александр Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Горобец Григорий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: прибора, корпус, мощного, полупроводникового

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: присоединения, кристалла, полупроводникового, прибора, способ, кремниевого, кристаллодержателю

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 11692

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Добриян Татьяна Сергеевна, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 35/10, B28B 1/00

Метки: горячего, шликер, деталей, литья, керамических

Текст:

...уменьшенной усадкой, что снижает дефектообразование в процессе снятия деталей из отливаемой пресс-формы. При содержании полипропиленгликоля-2000 в шликере менее 1 мас. , воска менее 0,2 мас. , олеиновой кислоты менее 0,2 мас.происходит расслоение шликера и не обеспечивается однородная плотность отливки, возникают раковины внутри керамических деталей и на поверхности. Также при литье керамических деталей происходит неполное заполнение...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...