Патенты с меткой «акцепторных»
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 14380
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборов, изготовления, силовых, примесей, кремниевые, способ, полупроводниковых, диффузии, пластины, акцепторных
Текст:
...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 10881
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, способ, кремниевые, акцепторных, пластины, примесей, изготовления, диффузии, силовых, приборов
Текст:
...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...