Патенты с меткой «отбраковки»

Номер патента: 18058

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Коршунов Федор Петрович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, радиационной, способ, диодов, шоттки

Текст:

...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: биополярных, отбраковки, транзисторов, радиационной, способ

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, способ, моп-транзисторов, радиационной

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...

Номер патента: 13130

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: диодов, способ, ненадежных, потенциально, отбраковки, силовых, кремниевых

Текст:

...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: дестабилизирующим, полупроводниковых, приборов, ускоренной, способ, параметров, чувствительностью, отбраковки, воздействиям, повышенной

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: кремния, приборов, основе, радиационной, отбраковки, способ, полупроводниковых, стойкости

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: кремниевых, полупроводниковых, высоковольтных, отбраковки, диодов, стойкости, способ, радиационной

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, приборов, основе, полупроводниковых, стойкости, радиационной, кремния, отбраковки

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 4524

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Бакуменко Валерий Иванович, Попов Юрий Петрович

МПК: G01R 31/28

Метки: отбраковки, микросхем, способ

Текст:

...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...