Котов Владимир Семенович

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Котов Владимир Семенович, Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: поликремниевого, резистора, изготовления, высокоомного, способ

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович

МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 29/00...

Метки: резистор, поликремниевый, высокоомный

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...