C04B 35/462 — на основе титанатов

Номер патента: 18267

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Савчук Галина Казимировна, Летко Анжелика Константиновна

МПК: C04B 35/462, H01B 3/12

Метки: диэлектрического, антенн, элементов, керамических, малогабаритных, получения, способ, свч-материала

Текст:

...(помол) смеси исходных высокочистых оксидов , , 2, взятых в стехиометрическом соотношении с добавлением дистиллированной воды в вибрационной мельнице в течение 6-10 ч синтез твердого раствора, который осуществляют методом твердофазных реакций, в электрической печи в атмосфере воздуха при температуре 95010 С в течение 4 ч. Синтез проводят в алундовых тиглях. В синтезированные порошки твердого раствора сверх стехиометрии добавляют оксиды...

Номер патента: 13753

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Тарасевич Татьяна Викторовна, Лебедев Сергей Александрович

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12

Метки: материала, керамического, конденсаторного, получения, способ

Текст:

...материала, включающий приготовление шихты, содержащей 3 и 23, ее помол, смешивание со связующим веществом, прессование и обжиг. Новым, по мнению авторов, является то, что 3 предварительно отжигают при температуре 1100-1150 С, в шихту дополнительно вводят 2, 2 и , а помол шихты проводят в мельнице планетарного типа в течение 0,5-4,0 ч. Сущность изобретения заключается в том, что предварительный отжиг 3 сохраняет высокое значение...

Номер патента: 13594

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Лебедев Сергей Александрович, Тарасевич Татьяна Викторовна

МПК: H01G 4/12, C04B 35/462

Метки: керамический, материал, конденсаторов, термостабильных

Текст:

...11 1,51-2,44 23 0,20-0,42 0,17-0,29 26 0,70-2,34. Положительный результат достигается тем, что в качестве добавок, повышающих диэлектрическую проницаемость, используются ниобат магния, оксид олова, оксид церия. Уменьшение температуры обжига достигается за счет введения оксида меди и присутствия оксидов олова и церия, которые способствуют уплотнению керамики за счет жидкофазного механизма спекания. Оксид иттрия выполняет функцию...

Номер патента: 12053

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович

МПК: C04B 35/26, C04B 35/462

Метки: материал, магнитоэлектрический

Текст:

...задача решается путем получения магнитоэлектрического материала,содержащего , , О и имеющего орторомбически искаженную кристаллическую решетку. Новым, по мнению авторов, является то, что он дополнительно содержит Са ив соотношении, соответствующем химической формуле (1-)33, где 0,2 х 0,4. Сущность изобретения заключается в том, что в магнитоэлектрическом материале на основе феррита висмута введение катионов Са 3 в узлы 3,4 в позиции 3...

Номер патента: 10867

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Мороз Иван Иванович, Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: H01G 4/12, H01B 3/12, C04B 35/462...

Метки: материал, сегнетоэлектрический, керамический

Текст:

...сегнетоэлектрический керамический материал получают по обыкновенной керамической технологии. Заданного состава смесь порошков исходных реактивов после ее помола подвергают обжигу при температуре 700-800 С в течение 4-5 ч и затем при температуре 900-1000 С в течение 3-4 ч с промежуточным помолом продукта первого обжига. Продукт после второго обжига измельчают и из полученного порошка спекают керамический материал при температуре 1100-1200 С в...

Номер патента: 10086

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Мороз Иван Иванович, Радюш Юрий Владимирович, Олехнович Николай Михайлович

МПК: C04B 35/462, H01B 3/12, H01G 4/12...

Метки: керамический, сегнетоэлектрический, материал

Текст:

...проницаемости. Поставленная задача решается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария (ВаТ 3) дополнительно содержит ниобат лития (3). Состав материала определяется формулой (3)1(3). Оптимальная величина молярной доли 3 в конечном продукте лежит в пределах 0,01 х 0,20. В качестве исходной шихты используют смесь порошков ВаТ 3 и 3 при молярной доле 3, лежащей в указанных пределах. Способ...