H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лукашова Надежда Васильевна, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01C 7/00, H01L 21/8238, H01C 1/00...

Метки: кмоп, полупроводникового, резистора, изготовления, интегральной, схемы, способ, высокоомного

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C22C 28/00, H01C 7/00

Метки: элементов, интегральных, микросхем, тонкопленочных, резистивных, материал

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Леонов Николай Иванович, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: изготовления, поликремниевого, резистора, высокоомного, способ

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович, Сякерский Валентин Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/00, H01C 1/00, H01C 7/00...

Метки: высокоомный, поликремниевый, резистор

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Номер патента: 3320

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Проневич Игорь Иванович, Подденежный Евгений Николаевич, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: H01C 7/00

Метки: резистивной, пленки, получения, толстой, состав

Текст:

...формирование резистивной пленки на кремнеземсодержащей подложке из слоя дисперсных алюминия и азотнокислого натрия (калия) происходит следующим образом. При обжиге порошок алюминия расплавляется и, взаимодействуя с расплавом соли азотнокислого натрия (калия) и продуктами ее разложения, восстанавливает кремний из кремнеземсодержащей подложки. В результате реакции восстановления формируется толстая резистивная пленка, состоящая в основном...

Номер патента: 3318

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: H01C 7/00, H01C 17/02, H05B 3/12...

Метки: получения, пленки, резистивной, состав

Текст:

...подложке из слоя дисперсных алюминия и хлорида аммония происходит следующим образом. При обжиге порошок алюминия расплавляется и, взаимодействуя, по-видимому, с расплавом соли хлорида аммония и продуктами ее разложения, восстанавливает кремний из кремнеземсодержащей подложки. В результате реакции восстановления формируется толстая резистивная пленка, состоящая в основном из кристаллических и поликристаллических частиц алюминия и кремния. В...