Леонов Николай Иванович

Номер патента: 18093

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Леонов Николай Иванович, Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 29/772

Метки: моп-транзистор, высоковольтный

Текст:

...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...

Номер патента: U 8247

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Гетьман Сергей Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: транзистор, моп, изолированным, высоковольтный, истоком

Текст:

...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сякерский Валентин Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 29/00

Метки: каналом, встроенным, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Дударь Наталья Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна, Котов Владимир Семенович

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: резистора, способ, высокоомного, поликремниевого, изготовления

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Дударь Наталья Леонидовна

МПК: H01C 1/00, H01L 29/00, H01C 7/00...

Метки: поликремниевый, резистор, высокоомный

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...