H01C 1/00 — Конструктивные элементы
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Лукашова Надежда Васильевна, Лемешевская Алла Михайловна, Сорока Сергей Александрович
МПК: H01L 21/8238, H01C 7/00, H01C 1/00...
Метки: изготовления, схемы, способ, полупроводникового, кмоп, резистора, высокоомного, интегральной
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...
Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора
Номер патента: 11704
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01L 29/00, H01C 1/00, H01C 7/00...
Метки: изготовления, резистора, поликремниевого, способ, высокоомного
Текст:
...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...
Высокоомный поликремниевый резистор
Номер патента: 11703
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович
МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...
Метки: поликремниевый, резистор, высокоомный
Текст:
...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...