Сегнетоэлектрический керамический материал
Номер патента: 10867
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Мороз Иван Иванович, Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович, Пушкарев Анатолий Васильевич
Текст
(51) МПК (2006) НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ(71) Заявитель Государственное научнопроизводственное объединение Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению(72) Авторы Олехнович Николай Михайлович Мороз Иван Иванович Пушкарев Анатолий Васильевич Радюш Юрий Владимирович(73) Патентообладатель Государственное научно-производственное объединение Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению(57) Сегнетоэлектрический керамический материал на основе оксида титана, отличающийся тем, что дополнительно содержит оксиды магния, висмута, лантана и натрия в ко Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве керамических термостабильных конденсаторов. Известны керамические материалы на основе оксида титана, содержащие дополнительно оксиды бария, стронция и кальция 1. Однако данные материалы имеют высокую величину температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. Техническим решением, наиболее близким к заявляемому и которое выбрано в качестве прототипа, является керамический материал на основе оксида титана, содержащий дополнительно оксиды бария, стронция и циркония 2. Недостатками этого материала являются высокая величина температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, низкая величина диэлектрической проницаемости в интервале температур -6085 С, пригодном для практического использования материала, и высокая температура его спекания. Общим существенным признаком прототипа и заявляемого решения является вхождение оксида титана в состав получаемой керамики. 10867 1 2008.06.30 Задачей изобретения является создание сегнетоэлектрического керамического материала с большой величиной диэлектрической проницаемости и малой величиной температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. Поставленная задача решается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал на основе оксида титана дополнительно содержит оксиды магния, висмута, лантана и на трия. Состав материала определяется формулой 113 . Оп 2 2 2 2 тимальное молярное соотношение оксидов, входящих в состав материала, лежит в пределах 0,20 х 0,35. В качестве исходной шихты используют оксиды 2, , 23, 23 и карбонат 23. Заявляемый сегнетоэлектрический керамический материал получают по обыкновенной керамической технологии. Заданного состава смесь порошков исходных реактивов после ее помола подвергают обжигу при температуре 700-800 С в течение 4-5 ч и затем при температуре 900-1000 С в течение 3-4 ч с промежуточным помолом продукта первого обжига. Продукт после второго обжига измельчают и из полученного порошка спекают керамический материал при температуре 1100-1200 С в течение 4-5 ч. Полученный керамический материал представляет собой плотную керамику. Рентгенодифракционными исследованиями установлено, что спеченная керамика представляет собой твердый раствор со структурой перовскита на основе 1/21/23. Из спеченной керамики готовили конденсаторы для измерения диэлектрической проницаемостипри разных температурах. Измерения показали, что приготовленный керамический материал имеет большую величину диэлектрической проницаемости и малую величину температурного коэффициента диэлектрической проницаемости (ТКЕ). Величину ТКЕ определяли соотношением 12100 , 25 (21 ) где 1 ,2 , и 25 - величины диэлектрической проницаемости при -60, 85 и 25 С соот ветственно. Сущность изобретения заключается в том, что при обжиге смеси исходных оксидов образуется твердый раствор 113 . Он имеет искаженную пе 2 2 2 2 ровскитную кристаллическую решетку, в кубооктаэдрических позициях которой располагаются ионы ,и , а в октаэдрических позициях - ионыи . Из-за различия размеров и зарядности ионов, занимающих указанные позиции, возникают локальные микронеоднородные напряженности анион-катионных связей, приводящие к размытию сегнетоэлектрического фазового перехода в указанном твердом растворе. В результате этого диэлектрическая проницаемость в области -6085 С принимает большую величину и слабо зависит от температуры. Результаты исследования диэлектических характеристик конечного продукта различного состава на частоте 1 кГц, а также интервал температур спекания керамики в сравнении с соответствующими характеристиками прототипа представлены в таблице. Сравнительный анализ примеров известного (по прототипу) и заявляемого материала показывает (табл.) следующие преимущества. 1. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости для заявляемого материала в 2,5-3 раза меньше в сравнении с прототипом. 2. Диэлектрическая проницаемость заявляемого материала больше в сравнении с прототипом. 3. Температура спекания для заявляемого материала на 160-180 С ниже в сравнении с прототипом. Источники информации 1. Ротенберг Б.А. Керамические конденсаторные диэлектрики. - С.-Петербург Гирикорд, 2000. - 246 с. 2. Патент Японии 2001031472, 2001. Национальный центр интеллектуальной собственности. 220034, г. Минск, ул. Козлова, 20. 3
МПК / Метки
МПК: C04B 35/462, H01B 3/12, H01L 41/18, H01G 4/12
Метки: материал, керамический, сегнетоэлектрический
Код ссылки
<a href="https://by.patents.su/3-10867-segnetoelektricheskijj-keramicheskijj-material.html" rel="bookmark" title="База патентов Беларуси">Сегнетоэлектрический керамический материал</a>
Предыдущий патент: Способ получения кубического нитрида бора
Следующий патент: Способ обнаружения маловысотного летательного аппарата и устройство для его осуществления
Случайный патент: Инсектицидная бирка