Патенты с меткой «p-n-переходе»
Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора
Номер патента: 11643
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Шведов Сергей Васильевич, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/66
Метки: выявления, прибора, глубоких, способ, уровней, p-n-переходе, полупроводникового
Текст:
...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...