Патенты с меткой «уровней»
Способы и фармацевтические композиции для достоверного достижения приемлемых уровней тестостерона в сыворотке
Номер патента: 13657
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: ИНГВЕРЗЕН, Ян-Петер, ХЮБЛЕР, Дорис, КУНЦ, Вильгельм, ФРИКЕ, Забине
МПК: A61K 31/568, A61P 15/00, A61K 47/14...
Метки: достижения, достоверного, сыворотке, приемлемых, уровней, способы, фармацевтические, тестостерона, композиции
Текст:
...количество сорастворителя составляет от примерно 55 до 65 об.по отношению к носителю. В некоторых вариантах осуществления изобретения концентрацию сорастворителя в носителе следует ограничивать для уменьшения скорости диффузии сложных эфиров тестостерона, например в месте инъекции. Таким образом, в некоторых вариантах осуществления изобретения концентрация сорастворителя в носителе должна составлять менее 90,предпочтительно менее 85,...
Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора
Номер патента: 11643
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, способ, p-n-переходе, выявления, прибора, уровней, полупроводникового
Текст:
...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...
Способ определения концентрации железа в кремниевых p+-n-структурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней
Номер патента: 10299
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Комаров Борис Анатольевич, Мурин Леонид Иванович
МПК: G01L 27/00, H01L 21/66
Метки: железа, спектроскопии, кремниевых, способ, методом, определения, концентрации, глубоких, p+-n-структурах, уровней, емкостной
Текст:
...неразрушающего контроля к промышленным диффузионным переходам, в особенности к кремнию -типа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения концентрации железа в кремниевых рструктурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней кремниевые рструктуры облучают при комнатной температуре высокоэнергетическими частицами с энергиями частиц больше граничной энергии для образования пар Френкеля в кремнии и такой дозой,...
Устройство для снижения уровней вибрации и шума железнодорожного пути метрополитена
Номер патента: 3991
Опубликовано: 30.06.2001
Автор: Мрочек Геннадий Адамович
МПК: E01B 1/00, E01B 19/00
Метки: шума, уровней, метрополитена, железнодорожного, вибрации, устройство, пути, снижения
Текст:
...уложенной между основанием шпалы и бетонной постелью прокладки, образованной верхней и нижней пластинами. На каждой пластине по контуру и на поперечной оси расположены выступы разной высоты. Пластины обращены выступами друг к другу. При этом верхняя пластина снабжена отверстиями, а нижняя пластина - захватами, а пластины соединены между собой приведением захватов и отверстий во взаимодействие. Сопоставление с прототипом показывает отличия...
Устройство для снижения уровней вибрации и шума железнодорожного пути метрополитена
Номер патента: 1333
Опубликовано: 16.09.1996
Авторы: Мрочек Геннадий Адамович, Фролов Геннадий Иванович, Дашевский Михаил Аронович, Мурач Алексей Владимирович, Василевич Юрий Владимирович, Серегин Алексей Гаврилович, Качур И. Яковлевич, Кизин Виктор Петрович, Чеканов Валерий Владимирович
МПК: E01B 1/00
Метки: устройство, шума, уровней, железнодорожного, метрополитена, пути, вибрации, снижения
Текст:
...злемент 1. При этом внутренние ребра по периметру одного изделия В опираются по периметру на пластины другого изделия. а средние ребра опираются друг на дРУга. образуя при этом требуемую площадь 9 для эффективной виброзащиты при минимальной нагрузке.Внешние выступы 10 по периметру одного изделия меньше по высоте внутренних выступов 11 по периметру и в собранном изделии (фиг. 4) совместно с поперечными выступами 12. параллельными средними...