Патенты с меткой «изготовлении»

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: пластин, кремния, поликристаллического, реставрации, интегральных, способ, изготовлении, микросхем, пленкой

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: окнах, интегральных, удаления, контактных, микросхем, изготовлении, полимера, способ

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: изделий, источников, микроэлектроники, планарных, получения, композиция, бора, изготовлении, твердых

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, системы, удаления, изготовлении, состав, металлизации, фоторезиста, приборов

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: структур, полупроводниковых, приборов, обработки, приборных, быстродействующих, изготовлении, радиационной, способ

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15335

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Чубис Павел Анатольевич, Жолнерович Наталья Викторовна, Драпеза Андрей Анатольевич, Черная Наталья Викторовна, Костюкевич Андрей Валентинович

МПК: D21C 5/02

Метки: материала, способ, изготовлении, волокнистого, подготовки, волокна, вторичного, целлюлозосодержащего

Текст:

...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...

Номер патента: U 7374

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Лашковский Владимир Владимирович, Шашура Люцина Иосифовна, Свириденок Анатолий Иванович

МПК: A61F 5/14

Метки: модели, получения, негативной, изготовлении, индивидуальных, устройство, стоп, ортезов

Текст:

...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...

Номер патента: 13858

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Пенкин Антон Анатольевич, Соловьева Тамара Владимировна, Темрук Владимир Игнатьевич

МПК: D21H 21/00, D21H 17/00

Метки: способ, наполнителя, печати, бумаги, карбонатного, модифицирования, изготовлении

Текст:

...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: микрорельефа, изготовлении, схем, планаризации, интегральных, способ

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Мойсейчук Константин Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, получения, источников, приборов, твердых, полупроводниковых, композиция, схем, бора, изготовлении

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, источников, приборов, бора, полупроводниковых, диффузии, микросхем, интегральных, твердых, способ

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, жизни, быстродействующих, регулирования, неосновных, способ, носителей, полупроводниковых, времени, заряда, изготовлении

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: полимерных, состав, металло-кремнийорганических, удаления, микросхем, изготовлении, кремниевых, интегральных, остатков

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/225

Метки: композиция, получения, источников, изготовлении, пленкообразующая, приборов, полупроводниковых, твердых, бора

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Номер патента: 5095

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Федерико ПАВАН, Пьетро КАВАЛЛОТТИ

МПК: C23C 2/38, B29C 70/00, C25D 5/00...

Метки: проволока, варианты, металлическая, изготовлении, содержащегося, констру, эластомерных, используемая, поверхностью, плакирования, конструкций, усиливающих, проволоке, стального, поверхности, усиливающая, способ, изделий, обработанной, материалов, сердечника

Текст:

...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...

Номер патента: 2553

Опубликовано: 30.12.1998

Автор: Бломквист Гуннар

МПК: B29C 53/56, B29C 65/72, B29C 65/40...

Метки: выполнения, изготовлении, трубы, сварочная, навиваемой, способа, спирально, способ, головка, сварки

Текст:

...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...