Патенты с меткой «изготовлении»
Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 18443
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: H01L 21/311
Метки: кремния, поликристаллического, микросхем, реставрации, пластин, пленкой, способ, изготовлении, интегральных
Текст:
...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....
Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 17503
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/02, B08B 3/12
Метки: интегральных, изготовлении, полимера, окнах, контактных, удаления, микросхем, способ
Текст:
...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...
Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники
Номер патента: 15733
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02
Метки: твердых, бора, микроэлектроники, планарных, изготовлении, источников, изделий, получения, композиция
Текст:
...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...
Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 15743
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковых, системы, изготовлении, удаления, приборов, фоторезиста, металлизации, состав
Текст:
...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....
Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 15720
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/263
Метки: приборных, быстродействующих, обработки, структур, изготовлении, приборов, способ, полупроводниковых, радиационной
Текст:
...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...
Способ подготовки вторичного волокна при изготовлении целлюлозосодержащего волокнистого материала
Номер патента: 15335
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Жолнерович Наталья Викторовна, Костюкевич Андрей Валентинович, Чубис Павел Анатольевич, Черная Наталья Викторовна, Драпеза Андрей Анатольевич
МПК: D21C 5/02
Метки: способ, материала, волокна, подготовки, изготовлении, волокнистого, вторичного, целлюлозосодержащего
Текст:
...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...
Устройство для получения негативной модели при изготовлении индивидуальных ортезов стоп
Номер патента: U 7374
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Шашура Люцина Иосифовна, Свириденок Анатолий Иванович, Лашковский Владимир Владимирович
МПК: A61F 5/14
Метки: негативной, стоп, получения, индивидуальных, ортезов, устройство, изготовлении, модели
Текст:
...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...
Способ модифицирования карбонатного наполнителя при изготовлении бумаги для печати
Номер патента: 13858
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Темрук Владимир Игнатьевич, Пенкин Антон Анатольевич, Соловьева Тамара Владимировна
МПК: D21H 21/00, D21H 17/00
Метки: бумаги, изготовлении, печати, модифицирования, способ, карбонатного, наполнителя
Текст:
...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...
Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем
Номер патента: 13309
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Родин Георгий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/70
Метки: планаризации, способ, микрорельефа, интегральных, изготовлении, схем
Текст:
...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...
Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 11789
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: интегральных, приборов, композиция, полупроводниковых, получения, схем, изготовлении, бора, источников, твердых
Текст:
...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...
Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Номер патента: 10529
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: бора, диффузии, твердых, способ, приборов, микросхем, источников, изготовлении, полупроводниковых, интегральных
Текст:
...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов
Номер патента: 9993
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: быстродействующих, приборов, заряда, носителей, способ, времени, неосновных, жизни, изготовлении, полупроводниковых, регулирования
Текст:
...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/70, C11D 7/60
Метки: металло-кремнийорганических, микросхем, состав, остатков, интегральных, полимерных, кремниевых, удаления, изготовлении
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов
Номер патента: 9140
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Шильцев Владимир Викторович, Мойсейчук Константин Леонидович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/225
Метки: источников, получения, полупроводниковых, бора, приборов, пленкообразующая, композиция, изготовлении, твердых
Текст:
...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...
Металлическая проволока с обработанной поверхностью, используемая при изготовлении усиливающих конструкций изделий из эластомерных материалов, способ плакирования поверхности стального сердечника, содержащегося в проволоке (варианты), усиливающая констру
Номер патента: 5095
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Пьетро КАВАЛЛОТТИ, Федерико ПАВАН
МПК: C23C 2/38, C25D 5/00, B29C 70/00...
Метки: изготовлении, материалов, поверхностью, констру, используемая, изделий, стального, конструкций, варианты, эластомерных, содержащегося, усиливающая, поверхности, проволоке, металлическая, обработанной, сердечника, усиливающих, способ, проволока, плакирования
Текст:
...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...
Способ сварки при изготовлении спирально навиваемой трубы и сварочная головка для выполнения способа
Номер патента: 2553
Опубликовано: 30.12.1998
Автор: Бломквист Гуннар
МПК: B29C 53/56, B29C 65/72, B29C 65/40...
Метки: навиваемой, сварки, изготовлении, способ, трубы, сварочная, способа, головка, выполнения, спирально
Текст:
...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...