H01L 35/00 — Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Номер патента: U 9371

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 35/00

Метки: наноструктурный, объемный, термоэлектрик

Текст:

...подложку, на которой с обеих сторон на диэлектрике расположены двухмерные наноструктуры, а в подложке и диэлектрике параллельно электродам выполнены наноразмерные углубления, внутри которых двухмерные наноструктуры разделены нанозазорами. Для эффективного решения поставленной технической задачи ширина нанозазоров не превышает длину волны де Бройля для используемых полупроводниковых материалов. Для эффективного решения поставленной...

Номер патента: 13889

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: КЮЛИНГ, Клаус, ВЕНДОРФФ, Йоахим Х., ГРЭЗЕР, Мартин, ГРАЙНЕР, Андреас

МПК: D01D 5/00, B82B 3/00, B82B 1/00...

Метки: наноматериалы, термоэлектрические

Текст:

...полученного волокна нет необходимости. В результате электроформования полученного на этапераствора или расплава, содержащего, по крайней мере, один материал подложки или подходящее соединениепредшественник и, по крайней мере, один термоэлектрически активный материал или соединение-предшественник термоэлектрически активного материала, на этапеспособа данного изобретения получают волокно, содержащее, по крайней мере, один материал...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/00

Метки: полупроводниковый, энергии, солнечной, преобразователь, холод

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Номер патента: U 4646

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Гесть Илья Константинович

МПК: H01L 35/00

Метки: защитная, варианты, гильза

Текст:

...Вариант 2. Поставленная задача решена также тем, что в гильзе защитной, включающей заглушенный с одной стороны металлический чехол из стали, содержащий на другом конце монтажный элемент, согласно полезной модели, чехол выполнен из аустенитной нержавеющей стали и дополнительно содержит крепежный элемент, при этом монтажный элемент выполнен в виде шестигранной болтовой головки, которая содержит отверстие с внутренней резьбой, а...