Дударь Наталья Леонидовна
Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора
Номер патента: 11704
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/00, H01C 7/00, H01C 1/00...
Метки: поликремниевого, способ, резистора, высокоомного, изготовления
Текст:
...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...
Высокоомный поликремниевый резистор
Номер патента: 11703
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/00, H01C 1/00, H01C 7/00...
Метки: высокоомный, поликремниевый, резистор
Текст:
...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...